[发明专利]一种单斜相二氧化钒纳米线薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种单斜相二氧化钒纳米线薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

将含钒前驱体加入到乙酸和乙酰丙酮的混合溶剂中溶解并混合均匀，然后将混合均匀后的溶液滴涂在清洗干净的FTO玻璃的导电面上，超声使溶液均匀覆盖在FTO玻璃的导电面，再加热固化，重复滴涂+加热固化的操作2 ~ 5次后在空气中煅烧即得到目标产物单斜相二氧化钒纳米线薄膜;

所述的加热固化是指在450 ~ 500 ℃加热固化5 ~ 10 min;

所述的煅烧是指以2 ~ 2.5 ℃/min的升温速率升温至550 ~ 600 ℃，保持2 ~ 3 h。

2.根据权利要求1所述的单斜相二氧化钒纳米线薄膜的制备方法，其特征在于：

所述的含钒前驱体为乙酰丙酮氧钒和五氧化二钒中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的单斜相二氧化钒纳米线薄膜的制备方法，其特征在于：

所述的乙酸和乙酰丙酮的混合溶剂中乙酸和乙酰丙酮的体积比为18 ~ 24：1。

4.根据权利要求1或2所述的单斜相二氧化钒纳米线薄膜的制备方法，其特征在于：

所述的含钒前驱体与混合溶剂的用量满足每4.75 ~ 6.25 mL的乙酸和乙酰丙酮的混合溶剂对应使用0.05 ~ 1 mmol的含钒前驱体；

所述的混合均匀是指超声使含钒前驱体在混合溶剂中混合均匀，超声的条件为：300 ~700 W功率下超声30 ~ 45 min。

5.根据权利要求1或2所述的单斜相二氧化钒纳米线薄膜的制备方法，其特征在于：

所述的滴涂是指用移液枪移取溶液垂直滴在清洗干净的FTO玻璃上；所述的超声使溶液均匀覆盖在FTO玻璃的导电面是指在300 ~ 700 W功率下超声4 ~ 6 min使溶液均匀覆盖在FTO玻璃的导电面；

所述的滴涂的溶液的用量满足每3.75 cm²的导电面每次滴涂60 μL的溶液。

6.根据权利要求1或2所述的单斜相二氧化钒纳米线薄膜的制备方法，其特征在于：

所述的清洗干净的FTO玻璃是指通过以下步骤进行清洗：将FTO导电玻璃裁成条块状，然后将FTO导电面朝上放入容器中，依次用丙酮、无水乙醇超声清洗15 ~ 20 min清除玻璃基片表面的有机污染物，接着用去离子水超声清洗15 ~ 20 min，整个过程超声功率保持300 ~ 700 W，最后再用氮气吹干，装入干净的容器中备用。

7.一种根据权利要求1 ~ 6任一项所述的方法制备得到的单斜相二氧化钒纳米线薄膜。

8.根据权利要求7所述的单斜相二氧化钒纳米线薄膜在光电开关、热敏电阻、光信息储存、锂离子电池中的应用。