[发明专利]一种LTCC微波器件建模分析方法在审
申请号: | 201910185078.8 | 申请日: | 2019-03-12 |
公开(公告)号: | CN110069811A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 蒋迪;陈健;冉普航 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学;陈健 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 成都玖和知识产权代理事务所(普通合伙) 51238 | 代理人: | 胡琳梅 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微波器件 建模分析 插值函数 仿真模型 输出优化 等效电路分析 分布参数元件 集总参数元件 差值函数 对比分析 仿真分析 模型参数 器件电路 数值算法 综合步骤 准确度 求解 可用 绘制 输出 转换 分析 | ||
1.一种LTCC微波器件建模分析方法,其特征在于:所述LTCC微波器件建模分析方法包括
步骤一,使用Richards变换与Kuroda规则将LTCC微波器件的集总参数元件变换成分布参数元件,得到微带线参数,完成等效电路分析,求解出转换后的器件电路参数;
步骤二,采用数值算法分析确定模型参数,建立柯西差值函数式,基于柯西函数的插值方法进行,求解得到柯西插值函数输出优化参数;
步骤三,综合步骤一转换后的器件电路参数、步骤三输出的柯西插值函数输出优化参数绘制的对比分析,建立LTCC微波器件仿真模型,并对LTCC微波器件仿真模型进行仿真分析,完成对LTCC微波器件的建模分析;
其中,步骤一转换后的器件电路参数组数大于柯西插值函数需要求解的系数数目。
2.根据权利要求1所述的LTCC微波器件建模分析方法,其特征在于:步骤一是通过ADS仿真软件完成的等效电路分析,LTCC微波器件的电感和电容不进行等效电路分析,电感为螺旋式电感,电容为平行板电容。
3.根据权利要求1所述的LTCC微波器件建模分析方法,其特征在于:步骤二包括
步骤2.1,定义传输函数S0(p1,ρ2,ρ3,…),其中的第j个参数ρj(j=1,2,...,N)为频率、尺寸或介电常数,传输函数S0用如下多维多项式表示:
其中,
其中,m为多项式的阶数,
步骤2.2,这是误差限度εi<1,对步骤2.1的多维多项式求解,得到系数向量a和系数向量b,定义约束条件mina,b,t t为
其中,bTyi3≥1,i=1,2,...,N;bTxi≥0,i=1,2,...,N;bTyi≥aTxi,i=1,2,...,N;
步骤2.3,引入满足约束条件mina,b,t t的辅助变量t对minimax函数进行线性转化,并消除绝对值符号,输入柯西插值函数,求解出建模响应在0和1之间的优化参数:
aTxi-SibTyi+εibTyi≤t;
-aTxi+SibTyi+εibTyi≤t;
i=1,2,...,N。
4.根据权利要求1所述的LTCC微波器件建模分析方法,其特征在于:步骤三使用HFSS软件建立LTCC微波器件仿真模型,并对LTCC微波器件仿真模型进行仿真分析。
5.根据权利要求1所述的LTCC微波器件建模分析方法,其特征在于:步骤三输出的柯西插值函数输出优化参数绘制采用Matlab,求解出转换后的器件电路参数采用微波仿真软件ADS进行绘制。
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