[发明专利]磁头及磁记录再现装置有效
申请号: | 201910184610.4 | 申请日: | 2019-03-12 |
公开(公告)号: | CN110875062B | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 成田直幸;前田知幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | G11B5/187 | 分类号: | G11B5/187;G11B5/115 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 林娜;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁头 记录 再现 装置 | ||
1.一种磁头,具备:
磁极;
第1屏蔽区域;
第2屏蔽区域;
第3屏蔽区域,从所述第3屏蔽区域向所述第2屏蔽区域的第2方向与从所述磁极向所述第1屏蔽区域的第1方向交叉,所述磁极的至少一部分在所述第2方向上设置于所述第3屏蔽区域与所述第2屏蔽区域之间,从所述第3屏蔽区域向所述磁极的第3方向与所述第1方向交叉;
第1层叠体,设置于所述磁极与所述第2屏蔽区域之间;
第2层叠体,设置于所述磁极与所述第3屏蔽区域之间;以及
绝缘部,包括第1部分和第2部分,所述第1部分在所述第2方向上设置于所述磁极与所述第2屏蔽区域之间并在所述第1方向上设置于所述第1层叠体与所述第1屏蔽区域之间,从所述第1层叠体向所述第1部分的方向与所述第2方向交叉,所述第2部分在所述第3方向上设置于所述磁极和所述第3屏蔽区域之间并在所述第1方向上设置于所述第2层叠体与所述第1屏蔽区域之间,从所述第2层叠体向所述第2部分的方向与所述第3方向交叉,
所述第1层叠体包括:
第1磁性层,包含选自Fe、Co以及Ni中的至少一个;
第1导电层,设置于所述磁极与所述第1磁性层之间;以及
第2导电层,设置于所述第1磁性层与所述第2屏蔽区域之间,
所述第2层叠体包括:
第2磁性层,包含选自Fe、Co以及Ni中的至少一个;
第3导电层,设置于所述磁极与所述第2磁性层之间;以及
第4导电层,设置于所述第2磁性层与所述第3屏蔽区域之间,
沿着同时平行于所述第1方向和所述第2方向的平面截取的所述磁极的剖面为三角形,
所述第1导电层与所述磁极和第1磁性层相接,
所述第2导电层与所述第1磁性层和所述第2屏蔽区域相接,
所述第3导电层与所述磁极和所述第2磁性层相接,
所述第4导电层与所述第2磁性层和所述第3屏蔽区域相接。
2.根据权利要求1所述的磁头,
所述第1导电层包含选自Cu、Ag、Al以及Au中的至少一个,
所述第2导电层包含选自Ta、Pt、W、Ru、Mo、Ir、Rh以及Pd中的至少一个,
所述第3导电层包含选自Cu、Ag、Al以及Au中的至少一个,
所述第4导电层包含选自Ta、Pt、W、Ru、Mo、Ir、Rh以及Pd中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的磁头,
所述第1导电层包含选自Ta、Pt、W、Ru、Mo、Ir、Rh以及Pd中的至少一个,
所述第2导电层包含选自Cu、Ag、Al以及Au中的至少一个,
所述第3导电层包含选自Ta、Pt、W、Ru、Mo、Ir、Rh以及Pd中的至少一个,
所述第4导电层包含选自Cu、Ag、Al以及Au中的至少一个。
4.一种磁记录再现装置,具备:
权利要求1所述的磁头;
磁记录介质,通过所述磁头被记录信息;以及
第1电路,能够向所述第1层叠体供给电流。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社,未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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