[发明专利]磁头及磁记录再现装置有效

专利信息
申请号: 201910184610.4 申请日: 2019-03-12
公开(公告)号: CN110875062B 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 成田直幸;前田知幸 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: G11B5/187 分类号: G11B5/187;G11B5/115
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 林娜;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁头 记录 再现 装置
【权利要求书】:

1.一种磁头,具备:

磁极;

第1屏蔽区域;

第2屏蔽区域;

第3屏蔽区域,从所述第3屏蔽区域向所述第2屏蔽区域的第2方向与从所述磁极向所述第1屏蔽区域的第1方向交叉,所述磁极的至少一部分在所述第2方向上设置于所述第3屏蔽区域与所述第2屏蔽区域之间,从所述第3屏蔽区域向所述磁极的第3方向与所述第1方向交叉;

第1层叠体,设置于所述磁极与所述第2屏蔽区域之间;

第2层叠体,设置于所述磁极与所述第3屏蔽区域之间;以及

绝缘部,包括第1部分和第2部分,所述第1部分在所述第2方向上设置于所述磁极与所述第2屏蔽区域之间并在所述第1方向上设置于所述第1层叠体与所述第1屏蔽区域之间,从所述第1层叠体向所述第1部分的方向与所述第2方向交叉,所述第2部分在所述第3方向上设置于所述磁极和所述第3屏蔽区域之间并在所述第1方向上设置于所述第2层叠体与所述第1屏蔽区域之间,从所述第2层叠体向所述第2部分的方向与所述第3方向交叉,

所述第1层叠体包括:

第1磁性层,包含选自Fe、Co以及Ni中的至少一个;

第1导电层,设置于所述磁极与所述第1磁性层之间;以及

第2导电层,设置于所述第1磁性层与所述第2屏蔽区域之间,

所述第2层叠体包括:

第2磁性层,包含选自Fe、Co以及Ni中的至少一个;

第3导电层,设置于所述磁极与所述第2磁性层之间;以及

第4导电层,设置于所述第2磁性层与所述第3屏蔽区域之间,

沿着同时平行于所述第1方向和所述第2方向的平面截取的所述磁极的剖面为三角形,

所述第1导电层与所述磁极和第1磁性层相接,

所述第2导电层与所述第1磁性层和所述第2屏蔽区域相接,

所述第3导电层与所述磁极和所述第2磁性层相接,

所述第4导电层与所述第2磁性层和所述第3屏蔽区域相接。

2.根据权利要求1所述的磁头,

所述第1导电层包含选自Cu、Ag、Al以及Au中的至少一个,

所述第2导电层包含选自Ta、Pt、W、Ru、Mo、Ir、Rh以及Pd中的至少一个,

所述第3导电层包含选自Cu、Ag、Al以及Au中的至少一个,

所述第4导电层包含选自Ta、Pt、W、Ru、Mo、Ir、Rh以及Pd中的至少一个。

3.根据权利要求1所述的磁头,

所述第1导电层包含选自Ta、Pt、W、Ru、Mo、Ir、Rh以及Pd中的至少一个,

所述第2导电层包含选自Cu、Ag、Al以及Au中的至少一个,

所述第3导电层包含选自Ta、Pt、W、Ru、Mo、Ir、Rh以及Pd中的至少一个,

所述第4导电层包含选自Cu、Ag、Al以及Au中的至少一个。

4.一种磁记录再现装置,具备:

权利要求1所述的磁头;

磁记录介质,通过所述磁头被记录信息;以及

第1电路,能够向所述第1层叠体供给电流。

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