[发明专利]红豆杉负离子痛经垫在审
申请号: | 201910183963.2 | 申请日: | 2019-03-12 |
公开(公告)号: | CN109701067A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 高峰;杨津 | 申请(专利权)人: | 大连桃花传媒有限公司 |
主分类号: | A61L15/40 | 分类号: | A61L15/40;A61L15/44;A61L15/46;A61K36/889;A61K36/896;A61P15/00;A61P31/04;A61N5/06 |
代理公司: | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人: | 张肖 |
地址: | 116000 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红豆杉 痛经 负离子 药物复合层 护垫本体 上表面层 下表面层 中药芯片 消炎 杀菌 异味 协同 乌药 纳米银抗菌 女性健康 药物功效 有效缓解 中药药芯 重量配比 杜仲 延胡索 益母草 远红外 菟丝子 丹参 艾叶 柴胡 血竭 治疗 磁场 叠加 红花 缓解 | ||
1.红豆杉负离子痛经垫,其特征在于,包括护垫本体,所述护垫本体包括上表面层、下表面层以及设置在所述上表面层和下表面层之间的药物复合层;所述药物复合层包括中药芯片和包裹所述中药芯片的包覆层,所述中药芯片采用如下原料制备而成:5-12份红豆杉、5-12份艾叶、2-8份血竭、2-8份红花、2-8份杜仲、2-8份丹参、1-5份乌药、1-5份柴胡、1-5份菟丝子、1-5份延胡索和1-5份益母草。
2.根据权利要求1所述的红豆杉负离子痛经垫,其特征在于,所述中药芯片采用如下原料制备而成:8.5份红豆杉、8.5份艾叶、5份血竭、5份红花、5份杜仲、5份丹参、3份乌药、3份柴胡、3份菟丝子、3份延胡索和3份益母草。
3.根据权利要求1所述的红豆杉负离子痛经垫,其特征在于,所述中药芯片采用如下方法制备而成:
(1)取红豆杉和艾草,经分别干燥、粉碎后,得到红豆杉细粉和艾草细粉;将所述红豆杉细粉和艾草细粉混合均匀,加入白酒浸泡,浸泡后过滤,得到第一浸泡料;将所述第一浸泡料进行蒸制,得到第一蒸制料;
(2)取血竭和红花,经分别干燥、粉碎后,得到血竭细粉和红花细粉;将所述血竭细粉和红花细粉混合均匀,加入白酒浸泡,浸泡后过滤,得到第二浸泡料;将所述第二浸泡料进行蒸制,得到第二蒸制料;
(3)取杜仲和丹参,经分别干燥、粉碎后,得到杜仲细粉和丹参细粉;将所述杜仲细粉和丹参细粉混合均匀,加入白酒浸泡,浸泡后过滤,得到第三浸泡料;将所述第三浸泡料进行蒸制,得到第三蒸制料;
(4)取乌药和柴胡,经分别干燥、粉碎后,得到乌药细粉和柴胡细粉;将所述乌药细粉和柴胡细粉混合均匀,加入白酒浸泡,浸泡后过滤,得到第四浸泡料;将所述第四浸泡料进行蒸制,得到第四蒸制料;
(5)取菟丝子、延胡索和益母草,经分别干燥、粉碎后,得到各原料细粉;将上述各原料细粉混合均匀,加入白酒浸泡,浸泡后过滤,得到第五浸泡料;将所述第五浸泡料进行蒸制,得到第五蒸制料;
(6)向上述各蒸制料中分别加入酒曲和榴莲皮,然后分别进行发酵,制成各蒸制料的发酵料;
(7)将步骤(6)所得各发酵料分别进行蒸馏,制得各发酵料的蒸馏提取液;
(8)将步骤(7)所述蒸馏提取液充分混合均匀,浸渍无纺布,干燥后,制得所述中药芯片。
4.根据权利要求3所述的红豆杉负离子痛经垫,其特征在于,步骤(1)-(4)中,所述细粉的粒径为80-120目,所述浸泡的温度为25-28℃,所述浸泡的时间为6-8天,所述白酒的酒精度数为50-65度。
5.根据权利要求3所述的红豆杉负离子痛经垫,其特征在于,步骤(1)-(4)中,所述蒸制的温度为120-200℃,所述蒸制的时间为60-90分钟。
6.根据权利要求3所述的红豆杉负离子痛经垫,其特征在于,步骤(1)-(6)中,所述酒曲的添加量为所述蒸制料的1-3wt%,所述发酵时间为30-60天,所述发酵的温度为25-28℃,所述榴莲皮的添加量为所述蒸制料的1-2wt%。
7.根据权利要求1所述的红豆杉负离子痛经垫,其特征在于,所述中药芯片与所述上表面层之间设置纳米银远红外负离子复合磁芯片层。
8.根据权利要求7所述的红豆杉负离子痛经垫,其特征在于,所述纳米银远红外负离子复合磁芯片层,采用如下方法制得:
(S1)分别取3-6份远红外纳米粉、3-6份负离子粉、5-15份水性胶、60-80份水,搅拌使充分混合均匀,即得远红外线负离子液;
(S2)取99.99%纯度的金属银,使用电弧法与机械研磨法结合,制成纳米银颗粒,再进行抗氧化与抗凝集处理,制成纳米银抗菌溶液;
(S3)取20-40份磁粉、60-80份水,搅拌使充分混合均匀,得到磁粉溶液;
(S4)取无纺布基底,先在步骤(1)所述红外线负离子液中浸渍,再在所述纳米银抗菌溶液中浸渍,之后再喷涂所述磁粉溶液,经干燥、固化处理,即得所述纳米银远红外负离子复合磁芯片层。
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