[发明专利]一种带能量回馈的且效率极高的超导磁体开关电源在审

专利信息
申请号: 201910174764.5 申请日: 2019-03-08
公开(公告)号: CN109818506A 公开(公告)日: 2019-05-28
发明(设计)人: 徐烟红;刘小宁;黄瑞;王灿;费伟 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 南京中高专利代理有限公司 32333 代理人: 祝进
地址: 230031*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 超导磁体 高频变压器 开关电源 能量回馈 电容 放电 高压侧母线 开关管 逆变桥 充电 低压侧母线 低压大电流 工频变压器 软开关控制 充电回路 放电回路 滤波电感 滤波电容 双向流动 拓扑结构 整流单元 二极管 充放电 整流管 储能 隔离 电网
【权利要求书】:

1.一种带能量回馈的且效率极高的超导磁体开关电源,其特征在于,包括磁体储能及斩波单元(1)、充电用逆变桥单元(2)、放电用逆变桥单元(3)与放电用整流单元(4);

磁体储能及斩波单元(1)由高频变压器(T1)、第一开关管(Q1)、第二开关管(Q2)、第一二极管(D17)、超导磁体线圈(Lcoil)、滤波电容(Cf)、滤波电感(Lf)、开关管(Qinv)和第二二极管(Dinv)组成,充电用高频变压器(T1)上端输出口和下端输出口分别连接第一开关管(Q1)反并列二极管的正极和第二开关管(Q2)反并联二极管的正极,滤波电容(Cf)的一端与超导磁体线圈(Lcoil)的一端均与充电用高频变压器(T1)的中间输出口相连,第一开关管(Q1)和第二开关管(Q2)的负极均与开关管(Qinv)反并联第二二极管(Dinv)的负极及二极管(D17)的阳极相连,开关管(Qinv)反并联第二二极管(Dinv)的阳极与低压侧第一直流母线电容Cbus1负极及滤波电感(Lf)的一端相连,滤波电感(Lf)的另一端与滤波电容(Cf)一端及超导磁体线圈(Lcoil)的一端相连,第一二极管(D17)的负极与低压侧第一直流母线电容Cbus1正极连接;

充电用逆变桥单元(2)的直流侧正极连接高压侧第二直流母线电容Cbus的正极,充电用逆变桥单元(2)直流侧负极连接高压侧第二直流母线电容Cbus的负极,充电用逆变桥单元(2)交流侧输出端连接充电用高频变压器(T1)原边;

放电用逆变桥单元(3)直流侧正极输入端与低压侧第一直流母线电容Cbus1正极相连,放电用逆变桥单元(3)直流侧负极输入端与低压侧流母线电容Cbus1负极相连,放电用逆变桥单元(3)交流输出端与放电用高频变压器T2原边相连;

放电用高频变压器T2高压侧连接放电用整流单元(4)的交流侧,放电用整流单元(4)的直流侧正极与高压侧第二直流母线电容Cbus的正极相连,放电用整流单元(4)的直流侧负极与高压侧第二直流母线电容Cbus的负极相连。

2.根据权利要求1所述的一种带能量回馈的且效率极高的超导磁体开关电源,其特征在于:所述充电用逆变桥单元(2)和放电用逆变桥单元(3)中的桥式电路均选用全控型器件,且其控制均采用软开关控制。

3.根据权利要求1所述的一种带能量回馈的且效率极高的超导磁体开关电源,其特征在于:开关电源作为充电电源向超导磁体Lcoil输入能量时,开关管(Qinv)一直保持导通状态,充电用逆变桥单元(2)将高压侧第二直流母线电容Cbus的直流电转换成高频的交流电,经充电用高频变压器T1与第一开关管(Q1)、第二开关管(Q2)整流和滤波器(Lf)、滤波电容(Cf)滤波后变成恒压直流电给磁体充电,通过控制充电用逆变桥单元(2)中全控型器件的通断占空比控制超导磁体的充电速度。

4.根据权利要求1所述的一种带能量回馈的且效率极高的超导磁体开关电源,其特征在于:开关电源实现超导磁体(Lcoil)的储能回馈到电网时,第一开关管(Q1)、第二开关管(Q2)一直导通,关断开关管(Qinv)时,超导储能磁体(Lcoil)电流流过第一开关管(Q1)、第二开关管(Q2)、二极管(D17)后,经低压侧流母线电容Cbus1的滤波得到一个恒压直流输出,再经放电用逆变桥单元(3)、放电用高频变压器T2、放电用整流单元(4)输送到高压第二直流母线电容Cbus,开通开关管(Qinv)时,超导储能磁体(Lcoil)电流经第一开关管(Q1)、第二开关管(Q2)、开关管(Qinv)续流,通过控制开关管(Qinv)通断占空比控制超导磁体的放电速度。

5.根据权利要求1所述的一种带能量回馈的且效率极高的超导磁体开关电源,其特征在于:所述的磁体储能及斩波单元(1)中的开关管(Qinv)管为全控型器件。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院合肥物质科学研究院,未经中国科学院合肥物质科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910174764.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top