[发明专利]双V型混合永磁可调磁通记忆电机

权利要求书

1.双V型混合永磁可调磁通记忆电机，包括定子铁心(1)、电枢绕组(2)，转子铁心(3)和转轴(10)；转子铁心(3)固定在转轴(10)上，并位于定子铁心(1)内部，电枢绕组(2)设置在定子铁心(1)上；

其特征在于，还包括V形低矫顽力永磁体槽(4)、低矫顽力永磁体(5)、V形高矫顽力永磁体槽(6)、高矫顽力永磁体(7)和附加磁通路径(8)，转子铁心(3)沿圆周方向交替均匀布置2P个V形低矫顽力永磁体槽(4)和2P个V形高矫顽力永磁体槽(6)，P为定子电枢磁场极对数；

每个V形低矫顽力永磁体槽(4)安装一对低矫顽力永磁体(5)；每个V形高矫顽力永磁体槽(6)安装一对高矫顽力永磁体(7)，且V形高矫顽力永磁体槽(6)的每个直槽中均安装附加磁通路径(8)；

沿圆周分布的多个低矫顽力永磁体(5)充磁方向按照N极、S极交替充磁，同一V形低矫顽力永磁体槽(4)内的低矫顽力永磁体(5)充磁方向相同，同一V形高矫顽力永磁体槽(6)内的高矫顽力永磁体(7)充磁方向相异，同一V形槽两个直槽中的高矫顽力永磁体(7)与各自相邻的低矫顽力永磁体(5)充磁方向相同；

V形低矫顽力永磁体槽(4)的一对低矫顽力永磁体(5)和与其相邻的两个V形直槽中的高矫顽力永磁体(7)组合构成一个磁极；V形低矫顽力永磁体槽(4)与V形高矫顽力永磁体槽(6)均沿轴向贯穿整个电机。

2.根据权利要求1所述双V型混合永磁可调磁通记忆电的机，其特征在于，V形低矫顽力永磁体槽(4)的V字型夹角为120～180度；V形高矫顽力永磁体槽(6)的V字型夹角为10～30度。

3.根据权利要求2所述双V型混合永磁可调磁通记忆电机，其特征在于，低矫顽力永磁体(5)的充磁方向垂直于V形低矫顽力永磁体槽(4)径向截面的长边，且同一V形槽内低矫顽力永磁体(5)同为N极或S极，相邻两个V形槽内低矫顽力永磁体(5)的充磁方向相反；

高矫顽力永磁体(7)的充磁方向垂直于V形高矫顽力永磁体槽(6)径向截面的长边，且同一V形槽内高矫顽力永磁体(7)的充磁方向相反，同一V形槽两个直槽中的高矫顽力永磁体(7)与各自相邻的低矫顽力永磁体(5)充磁方向相同；在同一磁极下，低矫顽力永磁体(5)与高矫顽力永磁体(7)同为N极或S极。

4.根据权利要求1所述双V型混合永磁可调磁通记忆电机，其特征在于，附加磁通路径(8)设置在V形高矫顽力永磁体槽(6)靠近转子内圆一端，和/或靠近转子外圆一端。

5.根据权利要求4所述双V型混合永磁可调磁通记忆电机，其特征在于，V形高矫顽力永磁体槽(6)中的附加磁通路径(8)与高矫顽力永磁体(7)的厚度相同或不同。

6.根据权利要求1所述双V型混合永磁可调磁通记忆电机，其特征在于，低矫顽力永磁体(5)采用矫顽力小于250kA/m的永磁材料。

7.根据权利要求1所述双V型混合永磁可调磁通记忆电机，其特征在于，高矫顽力永磁体(7)采用矫顽力大于800kA/m的高磁能积永磁材料。

8.根据权利要求1所述双V型混合永磁可调磁通记忆电机，其特征在于，低矫顽力永磁体(5)与高矫顽力永磁体(7)均为整块永磁体，或沿轴向由多块永磁体排列构成。

9.根据权利要求1所述双V型混合永磁可调磁通记忆电机，其特征在于，附加磁通路径(8)内部填充环氧树脂、碳纤维的非导磁或非导电材料。