[发明专利]一种输出共模电压可调节放大器有效

专利信息
申请号: 201910102505.1 申请日: 2019-02-01
公开(公告)号: CN109889165B 公开(公告)日: 2023-01-03
发明(设计)人: 吴建辉;吴琪;陈超;李红 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H03F1/30 分类号: H03F1/30;H03F3/45;H03G3/30
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 徐莹
地址: 210096 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 输出 电压 调节 放大器
【权利要求书】:

1.一种输出共模电压可调节放大器,其特征在于,包括自适应电流偏置级、共模电压调节电路以及自偏置负载放大器;所述自偏置负载放大器,用于在两个NMOS管之间构成虚地点并为之提供栅极偏置电压,同时提供增益并与共模电压调节电路复用负载电阻;所述自适应电流偏置级利用放大器将电阻一端箝位到参考电压,当电源电压变化时电源电压的变化量全部体现在电阻上并相应转化为偏置电流变化量;所述共模电压调节电路中的参考电流源被偏置电流抽拉后所剩余电流流经共模电压调节电路中的负载电阻形成自适应压降,实现输出共模电压调节;

其中,所述自适应电流偏置级包括第一放大器(A1)、第一电阻(R1)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2);其中,参考电压连接第一放大器(A1)的负输入端,第一放大器(A1)的正输入端连接第一电阻(R1)的负端,且第一放大器(A1)的输出端连接第一NMOS管(MN1)的栅极;所述第一NMOS管(MN1)的源极接地且漏极连接第一电阻(R1)的负极;所述第二NMOS管(MN2)的栅极连接第一NMOS管(MN1)的栅极,第二NMOS管(MN2)的源极接地且漏极与参考电流源的负极相连;所述第一电阻(R1)的正极与电源相连;

其中,所述自偏置负载放大器包括第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4);其中,所述第三PMOS管(MP3)的栅极连接反馈电压且源极接电源,第三PMOS管(MP3)的漏极分别与第一PMOS管(MP1)的源极、第二PMOS管(MP2)的源极相连;所述第一PMOS管(MP1)的栅极连接输入电压正端,且第一PMOS管(MP1)的漏极连接第三NMOS管(MN3)的漏极;所述第三NMOS管(MN3)的栅极连接共模电压调节电路且源极接地;所述第二PMOS管(MP2)的栅极连接输入电压负端,且第二PMOS管(MP2)的漏极连接第四NMOS管(MN4)的漏极;所述第四NMOS管(MN4)的栅极与第三NMOS管(MN3)的栅极相连,且第四NMOS管(MN4)的源极接地。

2.根据权利要求1所述输出共模电压可调节放大器,其特征在于:所述共模电压调节电路包括参考电流源、第二电阻(R2)、第三电阻(R3);所述参考电流的正端与电源相连,参考电流的负端分别与第二电阻(R2)的负端、第三电阻(R3)的负端相连;所述第二电阻(R2)和第三电阻(R3)的正端分别连接至自偏置负载放大器。

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