[发明专利]针对存储器件的存储系统以及存储系统的操作方法有效
| 申请号: | 201910098303.4 | 申请日: | 2019-01-31 |
| 公开(公告)号: | CN110825553B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
| 发明(设计)人: | 洪道善;权正贤;申原圭;郑承奎 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;G11C13/00;G11C29/42 |
| 代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;郭放 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 针对 存储 器件 存储系统 以及 操作方法 | ||
本申请公开了一种针对存储器件的存储系统以及存储系统的操作方法。存储系统包括存储器件和存储器控制器。存储器件具有多个存储区域。存储器控制器被配置为:当针对第一存储区域连续产生的写入命令的数量达到参考值时,产生针对与多个存储区域中的一个存储区域相对应的第一存储区域的读取命令。
相关申请的交叉引用
本申请要求2018年8月10日提交的申请号为10-2018-0094039的韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
本公开的各种实施例总体而言涉及存储系统,并且更具体地,涉及存储系统和操作该存储系统的方法。
背景技术
储存在相变存储(PCM)器件中的数据的逻辑电平可以根据PCM器件的每个存储单元中包括的相变材料(例如,诸如锗-锑-碲(GST)材料的硫族化合物材料)的相态来确定。例如,如果某个存储单元中包括的相变材料具有晶态,则所述某个存储单元可以被视为具有逻辑“高(1)”电平的存储单元,而如果所述某个存储单元中包括的相变材料具有非晶态,则所述某个存储单元可以被视为具有逻辑“低(0)”电平的存储单元。PCM器件展现出相对高的操作速度和高集成密度。因此,PCM器件作为替换计算机或其他数字系统中的动态随机存取存储(DRAM)器件的候选者可能是有吸引力的。与其他非易失性存储器件一样,PCM器件可能具有有限的寿命和有限的耐久性。具体地,由于相变材料的特性和设计的限制,PCM器件的写入周期的数量可能受到限制,并且随着PCM器件的写入周期的数量增大,错误发生的概率可能增大。因此,检测和验证在PCM器件的写入操作和读取操作期间发生的错误可能是重要的。
错误校正码(ECC)机制被广泛用于检测和验证在PCM器件操作时发生的错误。当在PCM器件中执行写入操作时,写入数据可以通过ECC编码操作被改变为包括奇偶校验数据的码字,并且该码字可以被储存到存储单元中。储存在存储单元中的码字可以在执行读取操作时通过ECC解码操作被恢复为原始数据的原样。在ECC解码操作期间,错误数据可以使用码字中包括的奇偶校验数据来检测,并且错误数据可以在某些情况下被校正。
发明内容
根据一个实施例,提供了一种存储系统。存储系统包括存储器件和存储器控制器。存储器件具有多个存储区域。存储器控制器被配置为:当针对第一存储区域连续产生的写入命令的数量达到参考值时,产生针对第一存储区域的读取命令,所述第一存储区域与所述多个存储区域中的一个存储区域相对应。
根据一个实施例,提供了一种存储系统。存储系统包括存储器件和存储器控制器。存储器件具有多个存储区域。存储器控制器被配置为:从针对第一存储区域重复产生的写入命令的数量等于或大于参考值的时间点起,每当产生针对第一存储区域的写入命令时,产生针对储存在第一存储区域中的数据的读取命令,所述第一存储区域与所述多个存储区域中的一个存储区域相对应。
根据一个实施例,提供了一种操作存储系统的方法,所述存储系统包括具有多个存储区域的存储器件。所述方法包括:当产生针对第一存储区域的写入命令时,对针对第一存储区域的当前写入计数值进行计数,以将当前写入计数值改变为更新的写入计数值,所述第一存储区域与多个存储区域中的一个存储区域相对应。将更新的写入计数值与参考值进行比较,并且当更新的写入计数值达到参考值时,产生针对第一存储区域的读取命令。
根据一个实施例,提供了一种操作存储系统的方法,所述存储系统包括具有多个存储区域的存储器件。所述方法包括:当产生针对第一存储区域的写入命令时,对针对第一存储区域的当前写入计数值进行计数,以将当前写入计数值改变为更新的写入计数值,所述第一存储区域与多个存储区域中的一个存储区域相对应。将更新的写入计数值与参考值进行比较,并且从更新的写入计数值等于或大于参考值的时间点起,每当产生针对第一存储区域的写入命令时,产生针对第一存储区域的读取命令。
附图说明
图1是示出根据本公开的实施例的存储系统的框图。
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