[发明专利]一种g-C3有效

专利信息
申请号: 201910083629.X 申请日: 2019-01-29
公开(公告)号: CN109759114B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 闫俊涛;翟京雨;王春蕾;胡黎明;李建芬;柴波 申请(专利权)人: 武汉轻工大学
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24;B01J35/06;B01J35/10;C02F1/30;D04H1/728;D01D5/00;C02F101/30
代理公司: 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 代理人: 高爽
地址: 430023 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
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【说明书】:

本发明属于有机污水处理用光催化剂技术领域,更具体地,涉及一种g‑C3N4/TiO2/RGO三维Z型光催化剂及其原位电纺制备方法。该制备方法包括:将尿素加入到N,N‑二甲基甲酰胺中溶解得到溶液,加入氧化石墨烯,超声分散,再将乙醇、聚乙烯吡咯烷酮、冰醋酸和钛酸四丁酯的混合溶液加入到上述溶液中,磁力搅拌后得到氧化石墨烯均匀分散的纺丝溶液;将纺丝溶液经高压静电纺丝后得到纺丝膜材料,将纺丝膜材料煅烧后得到g‑C3N4/TiO2/RGO三维Z型光催化剂。本发明工艺简单,制备得到的三元光催化剂形成了紧密的相界面异质结,引入少量的石墨烯即可大大提高光催化剂的催化性能。

技术领域

本发明属于有机污水处理用光催化剂技术领域,更具体地,涉及一种 g-C3N4/TiO2/RGO三维Z型光催化剂及其原位电纺制备方法。

背景技术

太阳能光催化技术在有效处理环境污水中广泛应用。Z型光催化剂体系具有较强的氧化还原能力,可以同时满足降低半导体的带隙且使导带更负,价带更正,有效拓宽光生电子–空穴空间距离,抑制其复合,大大提高了光催化剂的催化性能,因此,构筑直接的Z型光催化体系已成为光催化领域的研究热点之一。TiO2具有较好的光催化性能和良好的化学稳定性,但其禁带较宽,只能被太阳光中约占4%的紫外光激发,对太阳光中约占50%的可见光不响应且光生电子-空穴易复合。g-C3N4是非金属光催化剂,具有较好的光催化活性,可见光吸收非常强,但比表面积较小,光生电子-空穴易复合。还原氧化石墨烯(RGO)具有大的比表面积和优异的传输载流子能力,可显著提高光催化剂的比表面积,同时降低电子空穴复合效率,从而在一定程度上可改善光催化剂的催化性能。大量研究证实TiO2/g–C3N4/RGO三元异质结的光催化性能明显优于单组份TiO2、g–C3N4和二元TiO2/g–C3N4光催化剂,Zhang等人(Sep.Purif.Technol.,2018,194,96–103)通过水热法、冷冻干燥等工艺制备了g-C3N4和TiO2共掺杂的三维石墨烯气凝胶,第一步将三聚氰胺在马弗炉中加热至550℃保温1h;第二步通过Hummers方法制备石墨烯;第三步将g-C3N4加入石墨烯的乙醇/水混合液中,超声1h,然后滴加钛酸四丁酯并超声1h,混合物在水热反应釜中180℃反应24h;第四步水热处理得到的块状物进一步在10%的氨水溶液中水热处理120℃反应3h;第五步冷冻干燥工艺处理第四步的复合物即得到了g-C3N4和TiO2共掺杂的三维石墨烯气凝胶。Wu等人(Appl.Surf.Sci.,2017,405,60-70)通过液相沉淀法合成了Z型g-C3N4-RGO-TiO2纳米异质结,第一步尿素在半封闭坩埚中以10℃/min升温至550℃马弗炉煅烧4h得到g-C3N4,然后放于6mol/L 的盐酸溶液中搅拌10h,收集、干燥、研磨、洗涤至中性,干燥备用;第二步通过Hummers方法制备石墨烯;第三步制备过氧钛酸,先将硫酸氧钛溶解在水中,加入氨水形成白色沉淀[Ti(OH)4]-,洗涤至中性去除NH4+和SO4-,然后将沉淀放入30%的双氧水中,磁力搅拌即可得到过氧钛酸;第四步将石墨烯GO、g-C3N4、过氧钛酸超声分散水中130℃回流13h;第五步样品干燥后在氮气气氛保护下2.3℃/min升温至500℃煅烧2h得到 g-C3N4-RGO-TiO2三元催化剂。Hafeez等人(Int.J.Hydrogen Energy,2018,43, 3892–3904)通过超声辅助的湿法浸渍法制备了g-C3N4-TiO2/rGO三元催化剂,第一步通过Hummers方法制备石墨烯;第二步将三聚氰胺在马弗炉中加热至500℃保温2h得到g-C3N4;第三步通过水解和凝胶作用合成TiO2纳米粒子,异丙醇钛和钛酸四丁酯缓慢加入pH为3的硝酸水溶液中,激烈搅拌3h,70℃加热20h,得到的产物洗涤后70℃干燥20h,再550℃煅烧 2h得到TiO2纳米粒子;第四步石墨烯溶液加入到乙醇中,在加入TiO2纳米粒子,再加入g-C3N4加热蒸发所有的水,样品60℃干燥12h,在400℃煅烧1h得到g-C3N4-TiO2/rGO三元催化剂。中国专利申请CN105536840A 公开了一种石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备方法,该方法具体包括如下步骤,第一步三聚氰胺在氮气气氛中500℃煅烧3h制得;第二步以高成本的多壁碳纳米管为原料制备石墨烯纳米带;第三步将二氧化钛前驱体溶解于过氧化氢与氨水的混合溶液中,加入第一步制备的氮化碳,待溶液浑浊后,离心洗净,再加入第二步制备的石墨烯纳米带搅拌后转移到反应釜中,140-180℃反应16-24h;第四步离心、洗净、烘干处理,于N2氛围下,400-600℃煅烧2-5h,即得到石墨烯纳米带负载半导体三维光催化材料。但现有相关制备g-C3N4/TiO2/RGO三元光催化剂的报道制备步骤非常复杂、制备非常耗时,而且制备时某些组分不是原位生成的,不利于异质结的形成,缺少简易且原位构筑具有高光催化性能的Z型 g-C3N4/TiO2/RGO三元异质结的方法。

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