[发明专利]等离子体浸没注入改性石墨烯的方法及其应用

权利要求书

1.等离子体浸没注入改性石墨烯的方法，其特征在于，具体按照以下步骤进行：

步骤1、将石墨烯粉末置于无水乙醇的烧杯中，超声离散，然后将离散好的石墨烯溶液滴于硅片上，待样品中的无水乙醇挥发后滴一滴导电银胶于样品上，在室温下进行干燥，将硅片表面清理干净，获得硅基底石墨烯样品；

步骤2、使用绝缘衬台将脉冲高压接入真空室，将制备好的样品置于真空室试样台上，开启机械泵和分子泵抽气，调节真空室的真空度；

步骤3、调节质量流量控制计和闸板阀，使工作气压达到0.2-1.0Pa；

步骤4、开启等离子体发生源，调整射频功率，激发等离子体；

步骤5、开启负脉冲高压电源，调整其输出电压、脉冲重复频率、注入脉冲宽度、注入时间，注入步骤4中的等离子体；

步骤6、将改性处理后的样品从真空室中取出，置于干燥器中进行干燥。

2.根据权利要求1所述的等离子体浸没注入改性石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤2中，真空室的真空度为1.0×10^-3Pa～5×10^-3Pa。

3.根据权利要求1-2任意一项所述的等离子体浸没注入改性石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤2中，绝缘衬台为高压陶瓷套管或者聚四氟乙烯材料。

4.根据权利要求3所述的等离子体浸没注入改性石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤4中，等离子体源Cu、Al、Mg、Zn、Ca、Ga、Ti、Cr、Fe、Mn、Ni、Co金属离子的任意一种。

5.根据权利要求4所述的等离子体浸没注入改性石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤4中，射频功率为100-600W，激发等离子体的方式为电容藕合或电感耦合。

6.根据权利要求5所述的等离子体浸没注入改性石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤5中输出电压为10-50kV、脉冲重复频率为100-500Hz、注入脉冲宽度为50-300μs、注入时间为30-180min。

7.根据权利要求6所述的等离子体浸没注入改性石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤5中，负脉冲高压电源开关选用固态开关。

8.根据权利要求6所述的等离子体浸没注入改性石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤5中，干燥温度为50-80℃。

9.如权利要求1-2、4-8任意一项所述的等离子体浸没注入改性石墨烯应用于亲水材料。