[发明专利]一种新型冗余供电系统有效

专利信息
申请号: 201910073518.0 申请日: 2019-01-25
公开(公告)号: CN109687567B 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 崔乃东;邓欢 申请(专利权)人: 中国船舶重工集团公司第七0九研究所
主分类号: H02J9/00 分类号: H02J9/00
代理公司: 武汉河山金堂专利事务所(普通合伙) 42212 代理人: 胡清堂;陈懿
地址: 430000 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 冗余 供电系统
【说明书】:

发明涉及一种新型冗余供电系统,本系统通过两个电流变化率检测电路检测对应电感两端的电压,实现通过检测输出电流变化率控制对应MOSFET的开通、关闭,从而避免反向电流,并通过设定两台电源的主从关系,确定两台电源的工作状态,避免两台电源之间频繁的状态切换,并设定与两个MOSFET场效应管连接的两个栅极控制电路,避免MOSFET的振荡,且工作机理简单可靠,适用于各型电源模块。

技术领域

本发明涉及电源模块冗余供电领域,具体涉及一种新型冗余供电系统。

背景技术

在要求高可靠性的电子设备系统中,往往需要提供冗余供电用来增加可靠性,通常的冗余供电系统设计方案是由2个或多个电源通过分别连接二极管阳极,以“或门”的方式并联输出至电源总线上,该电路简单、可靠,非常容易的实现电源的冗余输出,但是亦会带来功耗大、影响供电电压、占体积大、需要额外散热措施等问题。因此,一种使用MOSFET代替二极管的有源冗余(ActiveOring)方案应运而出,该方法成功避免了二极管方案的弊端,然而,该方法也存在一些固有缺陷,在工作过程中三种情况下容易使MOSFET产生振荡,第一,电源轻载或空载时,在MOSFET导通后,由于MOSFET固有特性,其通态阻抗非常小,此时DS端的电压Vds=RDSON*ILOAD,ILOAD小导致造成检测DS端电压比较困难,尤其在轻载或空载时,电源噪声淹没有效检出端电压,造成MOSFET无法正常工作,形成MOSFET重复性开关,从而造成震荡,影响供电质量和系统可靠性。第二,由于MOSFET开关速度较快,在MOSFET开通或者关断的时候会产生较大的dV/dt,由此,易与电路的寄生参数形成开关振荡从而影响供电质量。第三,电路内部均假设负载是理想负载,恒定不变,实际上,对于电子计算机系统等供电设备,其负载是动态变化的,根据运行任务的不同,设备需求的电流是在不停变化的,因而如果不考虑负载的实际情况,则在特定条件下容易发生振荡。如果MOSFET的开通阈值与关断阈值设置为一样的化极易引发不稳定的振荡,因此,在实际中,通常会对开通阈值与关断阈值设置不同的值,以形成滞缓避免上述的不稳定现象,然而我们可以发现,MOSFET的关断阈值通常情况下只能设置为一个负值,因为MOSFET的特性,如果MOSFET初始时关闭,当电压升高到开通阈值后MOSFET随即打开,由于MOSFET通态阻抗RDSON非常小,此时的VDS电压为RDSON*ILOAD,在负载电流不大的情况下极易落入MOSFET关断阈值区间,从而使MOSFET关断,VDS电压上升,MOSFET开通,重复开关形成振荡。因此将MOSFET的关断阈值设置为一个负值,重复上述情况,虽然VDS电压可以很低,但是在正常情况下无法改变极性即电流方向不会改变。然而由于VOFF为负值,即关断时,会存在一个Ireverse=VOFF/RDSON的反向电流,实际上,由于MOSFET关断延时和电路传输延时,从检测到反向电流触发MOSFET关断到真正MOSFET截止阻断反向电流也需要一段时间,而在电源短路时由于阻抗几乎为0,所以反向电流的上升率非常高,因此,真实的反向电流往往非常可观,严重时会拉低供电母线使系统宕机。故而,发明一种新的方法避免上述问题显得非常必要。

发明内容

有鉴于此,本发明提供一种新型冗余供电系统,所述系统通过两个电流变化率检测电路检测对应电感两端的电压,从而检测输出电流变化率,控制对应MOSFET的开通、关闭,从而避免反向电流,并通过设定两台电源的主从关系,确定两台电源的工作状态,避免两台并联电源之间频繁的状态切换,并设定与两个MOSFET场效应管连接的两个栅极控制电路,避免MOSFET的振荡。

本发明公开一种新型冗余供电系统,所述系统包括负载、与负载连接的第一电源及与负载连接的第二电源;

所述第一电源中包括第一电源模块、第一电流变化率检测电路、第一MOSFET场效应管、第一栅极控制电路、第一主从控制电路及第一电压调整电路;

第二电源包括第二电源模块、第二电流变化率检测电路、第二MOSFET场效应管、第二栅极控制电路、第二主从控制电路及第二电压调整电路;

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