[发明专利]一种输入电压范围较宽的放大器

权利要求书

1.一种输入电压范围较宽的放大器，包括：

控制模块，用于将放大器开启许可信号COMP_EN转换为互补放大器使能信号EN_N和放大器使能信号EN；

偏置电压模块，用于在互补放大器使能信号EN_N的控制下将参考电压VREFPGM转换为所述放大器工作所需的偏置电压VBIAS；

差分放大模块，用于在偏置电压VBIAS的控制下将输入差分信号VN和VP的差值进行放大；

输出放大模块，用于在放大器使能信号EN的控制下将放大后的差分信号进一步放大得到输出信号FB_N；

其中，所述偏置电压模块包括PMOS管M14、PMOS管PM0、NMOS管M16和NMOS管NM0，且所述PMOS管M14栅极接所述互补放大器使能信号EN_N，漏极连接至PMOS管PM0的源极，源极和衬底接电源，所述PMOS管PM0的衬底接电源Vdd，栅极接参考电压VREFPGM，漏极与NMOS管M16的漏极和栅极、NMOS管NM0的漏极以及所述差分放大模块形成偏置电压VBIAS节点，所述NMOS管M16、NM0的源极和衬底接地gnd，所述NMOS管NM0栅极接所述互补放大器使能信号EN_N；

所述差分放大模块利用高压管和高压原生管并联作为放大器的输入对管，所述差分放大模块包括PMOS管M19、PMOS管PM1、NMOS放大管NM3、NMOS管M0、NMOS原生管M1、NMOS原生管N2和第一下偏置管NM1，且所述PMOS管M19与PMOS管PM1组成镜像恒流源，其源极和衬底连接电源Vdd，所述PMOS管M19的漏极和栅极与PMOS管PM1的栅极、NMOS管NM3的漏极、NMOS原生管M1的漏极相连组成节点B，反相差分电压VN连接至NMOS管NM3的栅极、NMOS原生管M1的栅极，PMOS管PM1的漏极与NMOS管M0的漏极、NMOS原生管N2的漏极以及所述输出放大模块相连组成节点C，第一下偏置NMOS管NM1的漏极与NMOS管NM3的源极、NMOS原生管M1的源极、NMOS管M0的源极、NMOS原生管N2的源极相连组成节点A，同相差分电压VP连接至NMOS管M0的栅极、NMOS原生管N2的栅极，NMOS管NM3的衬底、NMOS原生管M1的衬底、NMOS管M0的衬底、NMOS原生管N2的衬底接地gnd，所述第一下偏置管NM1栅极接所述偏置电压VBIAS节点。

2.如权利要求1所述的一种输入电压范围较宽的放大器，其特征在于：所述控制模块包括反相器I61和反相器I62。

3.如权利要求2所述的一种输入电压范围较宽的放大器，其特征在于：所述放大器开启许可信号COMP_EN连接至所述反相器I61的输入端，所述反相器I61的输出端即互补放大器使能信号EN_N连接至所述反相器I62的输入端以及所述偏置电压模块，所述反相器I62的输出端即放大器使能信号EN连接至所述输出放大模块。

4.如权利要求1所述的一种输入电压范围较宽的放大器，其特征在于：所述输出放大模块包括PMOS管M20、PMOS管M18和第二下偏置NMOS管NM2。

5.如权利要求4所述的一种输入电压范围较宽的放大器，其特征在于：所述PMOS管M20栅极接所述节点C，所述PMOS管M20的漏极与PMOS管M18的漏极以及第二下偏置NMOS管的漏极相连组成输出信号FB_N节点，第二下偏置NMOS管NM2的源极和衬底接地gnd，所述PMOS管M18栅极接所述放大器使能信号EN，源极和衬底连接电源。