[发明专利]自校准温度传感器装置有效
| 申请号： | 201910066581.1 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109855764B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 董浩;吴东亮;廖韬;朱熙;高庆华;林博颖;安万庆;苏新明 | 申请（专利权）人： | 北京卫星环境工程研究所 |
| 主分类号： | G01K15/00 | 分类号： | G01K15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100094 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 校准 温度传感器 装置 | ||
1.自校准温度传感器装置，包括两种相变材料A和B、装置外壳、隔层、绝缘层、内核温度传感器、自加热装置，装置最内层为内核温度传感器，相变材料A环绕内核温度传感器，相变材料B环绕相变材料A，相变材料A和相变材料B之间布置隔层，其中外壳环绕相变材料B，外壳与相变材料B之间同样布置隔层，所有隔层的内外表面均镀有绝缘层；自加热装置布置在外壳周围。
2.如权利要求1所述的自校准温度传感器装置，其中，相变材料A和B可调换位置。
3.如权利要求1所述的自校准温度传感器装置，其中，装置的整体呈圆柱体结构。
4.如权利要求1所述的自校准温度传感器装置，其中，两种相变材料预留自身体积5%以上的膨胀空间。
5.如权利要求1所述的自校准温度传感器装置，其中，外壳与隔层的壁厚均为1mm。
6.如权利要求1所述的自校准温度传感器装置，其中，外壳材料选为不锈钢或铜。
7.如权利要求1所述的自校准温度传感器装置，其中，绝缘层材料是陶瓷或聚酰亚胺涂层胶。
8.如权利要求1所述的自校准温度传感器装置，其中，内核温度传感器选用PT1000，采用四线制测温。
9.如权利要求1所述的自校准温度传感器装置，其中，自加热装置的加热丝阻值不超过60Ω，加热功率控制在10W以内，通过在外壳表面镀加热丝的方式实现。
10.如权利要求1所述的自校准温度传感器装置，其中，相变材料A和相变材料B分别为镓和镓锡。
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