[发明专利]MoSe2

权利要求书

1.一种MoSe₂纳米片包覆KNbO₃纳米线异质结构光催化材料的制备方法，其特征 在于，所述制备方法以铌粉 (Nb)、氢氧化钾 (KOH)、钼酸钠 Na₂MoO₄· 2H₂O、硒粉 (Se) 为原料，通过简单的水热法和溶剂热法，制得结晶性良好的KNbO₃/MoSe₂异质结构光催化材料；其中，MoSe₂纳米片均匀生长在KNbO₃纳米线的表面，形成包覆结构；

所述的水热法是用于合成KNbO₃纳米线，所述的溶剂热法是用于合成KNbO₃/MoSe₂异质结构光催化材料；

溶剂热法合成KNbO₃/MoSe₂异质结构光催化材料，具体过程如下：

首先，将Na₂MoO₄· 2H₂O溶解在乙醇中，配成0.045-0.055 mol/L的溶液A；然后将Se粉溶解在水合肼中，配成0.35-0.45 mol/L的溶液B；将A与B以4:1的体积比混合，继续搅拌30-45 min；加入第一步中制备好的KNbO₃，使得Na₂MoO₄· 2H₂O与KNbO₃的摩尔比为1:3.3，继续搅拌30-45 min；最后将混合溶液转移至反应釜中，190-210℃下水热22-26 h；待反应结束并冷却至室温后，用蒸馏水和酒精反复清洗沉淀，将沉淀置于干燥箱中干燥。

2.如权利要求1所述MoSe₂纳米片包覆KNbO₃纳米线异质结构光催化材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

水热法合成了KNbO₃纳米线，具体过程如下：

首先用蒸馏水与KOH配成浓度为13 mol/L的KOH溶液，然后加入金属铌粉，金属铌粉与溶液中KOH的比例为7.5-8.5 wt%，磁力搅拌0.5-1.5 h；最后将混合溶液转移至反应釜中，调节电热鼓风干燥箱的温度为140-160 ℃，时间为10-14 h；待反应结束并冷却至室温后，用蒸馏水和酒精反复清洗白色沉淀，并将白色沉淀置于干燥箱中干燥得到KNbO₃纳米线。

3.根据权利要求2所述一种MoSe₂纳米片包覆KNbO₃纳米线异质结构光催化材料的制备方法，其特征在于，在所述水热法合成了KNbO₃纳米线中，清洗白色沉淀至上清液的pH为7。

4.根据权利要求2所述一种MoSe₂纳米片包覆KNbO₃纳米线异质结构光催化材料的制备方法，其特征在于，在所述水热法合成了KNbO₃纳米线中，干燥条件为60 ℃，12 h。

5.根据权利要求1所述一种MoSe₂纳米片包覆KNbO₃纳米线异质结构光催化材料的制备方法，其特征在于，在所述溶剂热法合成KNbO₃/MoSe₂异质结构光催化材料中，A和B溶液的混合方法是：将B溶液缓慢加入磁力搅拌下的A溶液中。

6.根据权利要求1所述一种MoSe₂纳米片包覆KNbO₃纳米线异质结构光催化材料的制备方法，其特征在于，在所述溶剂热法合成KNbO₃/MoSe₂异质结构光催化材料中，干燥条件为：真空干燥，60 ℃，12 h。