[发明专利]一种铜箔为基底的石墨烯转移方法

权利要求书

1.一种铜箔为基底的石墨烯转移方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将制备好的铜箔基底石墨烯样品用胶带粘在盖玻片上；

（2）对步骤（1）中已经粘连在盖玻上的铜箔石墨烯样品放置在悬涂仪上面，滴两滴PMMA溶液，进行施涂；完成后撕下胶带，去除盖玻片，得到铜基底石墨烯复合层；

（3）对步骤（2）中的铜基底石墨烯复合层放在过硫酸铵溶液中刻蚀，除去铜基底；

（4）步骤（3）中PMMA基底石墨烯放入去离子清洗；

（5）用硅片捞出步骤（4）得到的PMMA基底石墨烯放入培养皿中，然后放入抽真空装置中抽真空；

（6）取出步骤（5）得到的样品放入玻璃培养皿中加热，使得PMMA软化，使得石墨烯与硅片更加贴合；

（7）待步骤（6）中的培养皿冷却后，在培养皿中加入丙酮与异丙醇去除PMMA基底，并用去离子水冲洗，吹干，得到硅基底石墨烯。

2.根据权利要求1所述的一种铜箔为基底的石墨烯转移方法，其特征在于，所述步骤（1）中的铜基底石墨烯是通过化学气相沉淀法制得的铜基底石墨烯。

3.根据权利要求1所述的一种铜箔为基底的石墨烯转移方法，其特征在于，所述步骤（3）中过硫酸铵溶液的浓度不超过0.5ml/L。

4.根据权利要求1所述的一种铜箔为基底的石墨烯转移方法，其特征在于，所述步骤（3）中处理步骤是将铜基底石墨烯复合层放入过硫酸铵溶液中静置，再取出放置在无尘纸上用去离子水冲洗铜片，再放入去过硫酸铵溶液中反复几次直至铜片已被刻蚀出孔洞，则不需要冲洗，直接置于过硫酸铵溶液中刻蚀至铜基底完全溶解。

5.根据权利要求1所述的一种铜箔为基底的石墨烯转移方法，其特征在于，所述步骤（4）中冲洗过程是准备四个培养皿中倒入去离子水，将样品薄膜放入其中一个培养皿的去离子水中静置，如此反复4次。

6.根据权利要求1所述的一种铜箔为基底的石墨烯转移方法，其特征在于，所述步骤（5）中硅片需要提前用丙酮和异丙醇浸泡，并进行超声清洗处理。

7.根据权利要求1所述的一种铜箔为基底的石墨烯转移方法，其特征在于，所述步骤（6）中的加热温度需要180℃，加热时间需要100min。

8.根据权利要求1所述的一种铜箔为基底的石墨烯转移方法，其特征在于，所述步骤（7）中培养皿之后加入的丙酮需要没过样品，并且每隔一段时间用注射器吸出丙酮，反复几次之后再加入异丙醇溶液反复操作数次。