[发明专利]一种应用于宽输出电压范围Buck变换器的DCR采样电路

权利要求书

1.一种应用于宽输出电压范围Buck变换器的DCR采样电路，用于采样所述Buck变换器中DCR采样电容两端的电压；

所述DCR采样电路包括偏置模块、电平位移模块和电流采样模块，

所述偏置模块用于为所述电平位移模块和电流采样模块提供偏置；

所述电平位移模块的输入端连接所述DCR采样电容两端的电压，用于将所述DCR采样电容两端的电压抬升后作为所述电流采样模块的输入信号；

其特征在于，所述DCR采样电路还包括浮动电压产生模块，所述浮动电压产生模块由所述偏置模块提供偏置，用于产生随所述Buck变换器输出电压变化的浮动电源和浮动地作为所述电流采样模块的电源轨；

所述电流采样模块的输出信号作为所述DCR采样电路的输出信号。

2.根据权利要求1所述应用于宽输出电压范围Buck变换器的DCR采样电路，其特征在于，所述浮动电压产生模块包括第十二PMOS管、第一NMOS管和齐纳二级管，

第一NMOS管的漏极连接电源电压，其源极输出所述浮动电源，其栅极连接齐纳二极管的阴极和所述偏置模块提供的第一偏置电压；

第十二PMOS管的栅极连接所述Buck变换器的输出电压，其漏极接地，其源极连接齐纳二极管的阳极并输出所述浮动地。

3.根据权利要求1或2所述应用于宽输出电压范围Buck变换器的DCR采样电路，其特征在于，所述电流采样模块包括第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第五NPN型三极管和第六NPN型三极管，

第五NPN型三极管的基极作为所述电流采样模块的第一输入端，其集电极连接第十一PMOS管的栅极、第八PMOS管的栅极和漏极，其发射极连接第二NMOS管的漏极并通过第三电阻后连接第三NMOS管的漏极和第六NPN型三极管的发射极；

第六NPN型三极管的基极作为所述电流采样模块的第二输入端，其集电极连接第十PMOS管的栅极、第九PMOS管的栅极和漏极；

第四NMOS管的栅漏短接并连接第二NMOS管和第三NMOS管的栅极以及所述偏置模块提供的第二偏置电压，其源极连接第二NMOS管和第三NMOS管的源极并连接所述浮动地；

第十PMOS管的源极连接第八PMOS管、第九PMOS管和第十一PMOS管的源极并连接所述浮动电源，其漏极连接第十三PMOS管的源极；

第十三PMOS管的栅极连接第十四PMOS管的栅极并连接所述Buck变换器的输出电压，其漏极作为所述DCR采样电路的第一输出端并通过第一电阻后接地；

第十四PMOS管的源极连接第十一PMOS管的漏极，其漏极作为所述DCR采样电路的第二输出端并通过第二电阻后接地。

4.根据权利要求3所述的应用于宽输出电压范围Buck变换器的DCR采样电路，其特征在于，所述电平位移模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、第三NPN型三极管和第四NPN型三极管，

第一PMOS管和第二PMOS管的栅极分别作为所述电平位移模块的第一输入端和第二输入端连接所述Buck变换器中DCR采样电容的两端，它们的漏极均接地；

第一NPN型三极管的基极和集电极互连并连接第三NPN型三极管的发射极，其发射极连接第一PMOS管的源极；

第二NPN型三极管的基极和集电极互连并连接第四NPN型三极管的发射极，其发射极连接第二PMOS管的源极；

第三NPN型三极管的基极和集电极连接所述偏置模块产生的第三偏置电压并作为所述电平位移模块的第一输出端连接所述电流采样模块的第二输入端；

第四NPN型三极管的基极和集电极连接所述偏置模块产生的第四偏置电压并作为所述电平位移模块的第二输出端连接所述电流采样模块的第一输入端。

5.根据权利要求4所述的应用于宽输出电压范围Buck变换器的DCR采样电路，其特征在于，所述偏置模块包括第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和电流源，

第三PMOS管的栅极和漏极连接第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管和第七PMOS管的栅极并通过电流源后接地，其源极连接第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管和第七PMOS管的源极并连接电源电压；

第六PMOS管的漏极输出所述偏置模块的第一偏置电压；

第七PMOS管的漏极输出所述偏置模块的第二偏置电压；

第四PMOS管的漏极输出所述偏置模块的第三偏置电压；

第五PMOS管的漏极输出所述偏置模块的第四偏置电压。