[发明专利]一种量子密钥分发光子发射端有效

专利信息
申请号: 201910043275.6 申请日: 2019-01-17
公开(公告)号: CN109714109B 公开(公告)日: 2020-03-20
发明(设计)人: 张巍;黄卫绍;黄翊东;冯雪;刘仿;崔开宇 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H04B10/50 分类号: H04B10/50;H04B10/70;H04L9/08
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹;李相雨
地址: 100084 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 量子 密钥 分发 光子 发射
【权利要求书】:

1.一种量子密钥分发光子发射端,其特征在于,包括:光源芯片及空间光学结构;所述空间光学结构包括光学滤波片、光阑及准直凸透镜;

所述光源芯片,用于发射出不同偏振态的光子;所述光阑及所述准直凸透镜,用于将不同偏振态的光子合为一束准直输出,并利用光学衍射极限原理消除不同偏振态的光子因产生位置不同而带来的附加信息;所述光学滤波片,用于消除所述光源芯片发射出的不同偏振态的光子在频谱上的差异所述光源芯片包括:预设数量组线偏振光源;

其中,每组线偏振光源均由线栅起偏器及制备在衬底上的发光二极管所组成,不同组的线偏振光源用于发射出不同偏振态的光子;所有所述线偏振光源均集成制备在同一硅衬底;

所述发光二极管上方制备有金属层,且在所述金属层制备有线栅;其中,所述线栅用于作为所述发光二极管的电极,且作为所述线栅起偏器;

所述发光二极管为硅雪崩发光二极管,砷化镓发光二极管或磷化铟发光二极管。

2.根据权利要求1所述的量子密钥分发光子发射端,其特征在于,所述发光二极管具有独立电极,且在所述发光二极管的上方生长有金属层;所述金属层上制备有所述线栅起偏器。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的量子密钥分发光子发射端,其特征在于,所述预设数量为4,所述预设数量组线偏振光源发射出光子的线偏振方向分别沿水平方向、垂直方向、正45度方向及负45度方向。

4.根据权利要求1至2中任一项所述的量子密钥分发光子发射端,其特征在于,所述衬底由硅,砷化镓或磷化铟所制成。

5.根据权利要求1中所述的量子密钥分发光子发射端,其特征在于,所述发光二极管上生长有透明绝缘层;所述透明绝缘层的材料为二氧化硅、氮化硅、透明光刻胶或透明树脂。

6.根据权利要求1或2所述的量子密钥分发光子发射端,其特征在于,所述金属层为铝,金或镉。

7.根据权利要求1所述的量子密钥分发光子发射端,其特征在于,所述光源芯片发射出的光子的波长包括可见光波段和/或近红外波段。

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