[发明专利]一种驱动控制系统有效
| 申请号: | 201910028157.8 | 申请日: | 2019-01-11 |
| 公开(公告)号: | CN111435815B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
| 发明(设计)人: | 洪智铭 | 申请(专利权)人: | 上海海拉电子有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
| 代理公司: | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人: | 李佳铭;王芳 |
| 地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 驱动 控制系统 | ||
本发明提供了一种驱动控制系统,包括可编程电源、与所述可编程电源连接的控制单元与驱动单元,所述可编程电源为所述控制单元与所述驱动单元供电,所述控制单元与所述驱动单元连接,所述控制单元输出脉冲控制信号至所述驱动单元的输入端,所述驱动单元的输入端接收所述脉冲控制信号进行工作并驱动下一级电路;所述控制单元包括第一微处理器、第二微处理器与脉冲信号生成电路。使用上述技术方案后,可以有效地解决在低压及使用可编程电源输入时的大功率场效应管驱动电路与输出相衔接的技术问题,使低压侧能够有效控制高压侧的MOS管,同时高压侧的MOS管可以有效稳定地驱动下一级电路。
技术领域
本发明涉及驱动控制领域,尤其涉及一种驱动控制系统。
背景技术
MOSFET具有开关速度快、导通性能好、集成度高、灵活性高以及应用场景丰富等诸多优点,因此被广泛的应用在数字电路与模拟电路中,MOSFET需要驱动电路来驱动其工作,驱动电路的稳定性直接影响到MOSFET的工作性能。目前常用的驱动电路包括图腾柱电路、准图腾柱电路与基于NMOS管的升级电路,但这些电路并不能在低压输入、宽电压输入以及双电压输入等多种应用场景下高效稳定地驱动MOSFET工作,无法使场效应管稳定地发挥作用促进下一级。因此,如何使MOSFET在低压输入、宽电压输入以及双电压输入等多种综合应用场景下高效稳定地发挥作用驱动下一级成为了亟需解决的问题。
发明内容
为了克服上述技术缺陷,本发明的目的在于提供一种驱动控制系统。使用此驱动控制系统,可以驱动MOSFET在低压输入、宽电压输入以及双电压输入等多种综合应用场景下高效稳定地工作,同时促进下一级电路工作。
本发明公开了一种驱动控制系统,包括:可编程电源、与所述可编程电源连接的控制单元与驱动单元,所述可编程电源为所述控制单元与所述驱动单元供电,所述控制单元与所述驱动单元连接,所述控制单元输出脉冲控制信号至所述驱动单元的输入端,所述驱动单元的输入端接收所述脉冲控制信号进行工作并驱动下一级电路;其中,所述控制单元包括第一微处理器、第二微处理器与脉冲信号生成电路,所述第一微处理器与所述驱动单元及所述第二微处理器连接,读取所述驱动单元各元器件与电路的通信级信号,并根据所述通信级信号向所述第二微处理器输出第一控制信号;所述第二微处理器还与所述驱动单元及所述脉冲信号生成单元连接,读取所述驱动单元各元器件与电路的功率级信号,并根据所述功率级信号及所述第一控制信号生成第二控制信号,输出至所述脉冲信号生成单元的输入端;所述脉冲信号生成单元的输入端接收所述第二控制信号,生成所述脉冲控制信号并输出至所述驱动单元的输入端,控制所述驱动单元工作。
优选地,所述控制单元还包括温度控制器件,所述温度控制器件与所述驱动单元电气绝缘连接,与所述第一微处理器的输入端电气连接,用于测量所述驱动单元的实时温度并转化为电信号传输至所述第一微处理器,所述第一微处理器控制所述驱动单元的温度处于稳定状态。
优选地,所述控制单元还包括可配置基础件SBC,所述可配置基础件的输入端与所述可编程电源的输出端连接,接收所述可编程电源的电源输入,输出端与所述第一微处理器及所述第二微处理器连接,向所述第一微处理器及所述第二微处理器供电并提供看门狗信号。
优选地,所述控制单元还包括SEPIC电路,所述SEPIC电路的输入端与所述可配置基础件连接,所述可配置基础件为所述SEPIC电路供电,所述SEPIC电路的输出端与所述第一微处理器及所述第二微处理器连接,向所述第一微处理器及所述第二位处理器提供参考电压信号。
优选地,所述可配置基础件的输入端还与所述第一微处理器的输出端连接,所述第一微处理器向所述可配置基础件的输入端输出使能信号;所述SEPIC电路的输入端还与所述第一微处理器的输出端连接,所述第一微处理器向所述SEPIC电路的输入端输出使能信号。
优选地,所述控制单元还包括第一采样电路,位于所述第二微处理器与所述驱动单元之间。
优选地,所述控制单元还包括ADC器件,位于所述第一采样电路与所述第二微处理器之间。
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