[发明专利]单层天线有效
申请号: | 201910014647.2 | 申请日: | 2019-01-08 |
公开(公告)号: | CN110034385B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | P·J·加里蒂;R·E·泰加兹;A·E·布林里 | 申请(专利权)人: | SEM技术公司 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q23/00 |
代理公司: | 北京世峰知识产权代理有限公司 11713 | 代理人: | 卓霖;许向彤 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单层 天线 | ||
1.一种设备,包括:
接地平面,其在衬底上沿水平方向延伸;以及
倒F天线,其占据与所述衬底上的所述接地平面相同的平面,并且耦合到所述接地平面,所述倒F天线包括:
水平辐射元件,其具有第一端和第二端,所述水平辐射元件在平行于所述接地平面的方向上延伸;
馈线,其直接连接到所述辐射元件的第一端并且在垂直的方向上从所述辐射元件的第一端延伸;
倾斜接地元件,其具有第三端和第四端,其中,所述第三端使用第一延伸部分以90度角连接到所述接地平面,且所述第四端在所述第一端与所述第二端之间的位置处使用第二延伸部分以90度角连接到所述辐射元件;以及
发射器集成电路,其通过馈电路径经过滤波器网络耦合到所述馈线,所述馈电路径包括两个导电迹线;
所述发射器集成电路在所述馈电路径的相同侧上占据所述接地平面上的空间,使得所述馈电路径不会导致所述发射器集成电路与所述辐射元件的任何寄生耦合;
其中,所述倒F天线是单层天线。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述倾斜接地元件以90度角耦合到所述辐射元件。
3.根据权利要求1所述的设备,其中,所述倾斜接地元件以90度角耦合到所述接地平面。
4.根据权利要求1所述的设备,还包括由所述辐射元件、所述馈线、所述接地平面和所述倾斜接地元件围绕的区域的周边所形成的缝隙天线。
5.根据权利要求4所述的设备,其中,所述缝隙天线配置成在所述倒F天线的频率的波长的四分之一波长下操作。
6.根据权利要求1所述的设备,其中,所述辐射元件具有等于所述倒F天线的波长的有理数倍的长度。
7.根据权利要求1所述的设备,其中,所述倾斜接地元件以90度角耦合到所述辐射元件,并且所述倾斜接地元件以90度角耦合到所述接地平面。
8.一种印刷电路,包括:
接地平面,其在衬底上沿水平方向延伸;以及
倒F天线,其在所述衬底上与所述接地平面共面,并且耦合到所述接地平面,所述倒F天线包括:
水平辐射元件,其具有第一端和第二端且在平行于所述接地平面的方向上延伸;馈线,其直接连接到所述辐射元件的所述第一端并且在垂直的方向上从所述辐射元件的所述第一端延伸;
倾斜接地元件,其具有第三端和第四端其中,所述第三端使用第一延伸部分以90度角连接到所述接地平面,并且所述第四端在所述第一端与所述第二端之间的位置处使用第二延伸部分以90度角连接到所述辐射元件;以及
发射器集成电路,其通过馈电路径经过滤波器网络耦合到所述馈线,所述馈电路径包括两个导电迹线;
所述发射器集成电路在所述馈电路径的相同侧上占据所述接地平面上的空间,使得所述馈电路径不会导致所述发射器集成电路与所述辐射元件的任何寄生耦合;
其中,所述倒F天线是单层天线。
9.根据权利要求8所述的印刷电路,其中,所述倾斜接地元件以90度角耦合到所述辐射元件。
10.根据权利要求8所述的印刷电路,其中,所述倾斜接地元件以90度角耦合到所述接地平面。
11.根据权利要求8所述的印刷电路,还包括缝隙天线,其由所述辐射元件、所述馈线、所述接地平面和所述倾斜接地元件围绕的区域的周边形成。
12.根据权利要求11所述的印刷电路,其中,所述缝隙天线配置成在所述倒F天线的频率的波长的四分之一波长下操作。
13.根据权利要求8所述的印刷电路,其中,所述辐射元件具有等于所述倒F天线的波长的有理数倍的长度。
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