[发明专利]垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列及制造方法

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，包括：

基片；

在所述基片上形成规则图案的多个垂直腔面发射激光器结构，每个垂直腔面发射激光器结构包括第一反射器区域、有源区域和第二反射器区域；

金属层，所述金属层电连接选定数量而非全部的所述垂直腔面发射激光器结构以使得当向所述垂直腔面发射激光器阵列供电时，所述选定数量的所述垂直腔面发射激光器结构形成预定的不规则图案的发射器，从而将规则图案的VCSEL阵列定制成不规则图案的VCSEL阵列；

所述预定的不规则图案是随机图案或伪随机图案。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，所述规则图案包括多个行，且每个行中的垂直腔面发射激光器结构等距间隔。

3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，所述规则图案包括多个同心圆，且在每个圆中的垂直腔面发射激光器结构等距间隔。

4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，进一步包括用于每个垂直腔面发射激光器结构的不同触点。

5.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，进一步包括光学组件，在封装过程中，在将所述光学组件固定到所述垂直腔面发射激光器结构上之前，将所述金属层沉积到所述光学组件上。

6.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，所述光学组件包括多个光学透镜或光学系统。

7.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，进一步包括仅仅为选定的所述垂直腔面发射激光器结构蚀刻的过孔。

8.根据权利要求7所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，所述金属层沉积在所述垂直腔面发射激光器结构之上，并且通过所述过孔仅仅连接选定的所述垂直腔面发射激光器结构。

9.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，所述有源区域包括多量子阱，所述第一反射器 区域包括n型分布式布拉格反射镜，所述第二反射器 区域包括p型分布式布拉格反射镜。

10.一种垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，包括：

基板；

形成规则图案的多个垂直腔面发射激光器结构，每个垂直腔面发射激光器结构包括第一反射器区域、有源区域和第二反射器区域，其中所述多个垂直腔面发射激光器结构通过倒装芯片方法安装在基板上；以及

第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层分别电连接选定数量而非全部的所述垂直腔面发射激光器结构的阳极端和阴极端，以使得在向所述垂直腔面发射激光器阵列供电时，所述选定数量的所述垂直腔面发射激光器结构形成预定的不规则图案的发射器，从而将规则图案的VCSEL阵列定制成不规则图案的VCSEL阵列；

所述预定的不规则图案包括随机图案或伪随机图案。

11.根据权利要求10所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，在封装过程中，在将所述垂直腔面发射激光器结构安装到所述基板之前，将所述第一金属层和第二金属层沉积到所述基板。

12.根据权利要求11所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，进一步包括用于每个选定的垂直腔面发射激光器结构的不同触点，其中所述第一金属层和所述第二金属层经所述触点电连接所述选定的垂直腔面发射激光器结构的阳极端和阴极端。

13.根据权利要求12所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，所述规则图案包括多个行，且每个行中的垂直腔面发射激光器结构等距间隔。