[发明专利]放大器

说明书

本发明提供一种放大器，其特征在于，上述放大器具备：输入匹配电路；至少一个放大用晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第一虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第二虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；以及输出匹配电路，输出该放大用晶体管的输出，该放大用晶体管夹在该第一虚设晶体管和该第二虚设晶体管之间，该放大用晶体管、该第一虚设晶体管以及该第二虚设晶体管沿着该输入匹配电路设置成一列。

技术领域

本发明涉及放大器。

背景技术

在专利文献1中，示出了在多指构造的场效应晶体管中，通过调整接合线(BondingWire)的长度、粗细以及根数，变更互感和自感的值，来控制电感分布，使输入输出信号的相位同相化的方法。

专利文献1：日本特开2010-161348号公报

在专利文献1中，为了使输入输出信号同相化而采用了下述方法：控制配置在端部的晶体管的自感，由此使表观电感分布均匀。在该情况下，由于制造偏差等的影响，难以使电感完全均匀。并且，在温度或动作功率变更且RF电流变动的情况下，电感分布的不均匀性与RF电流的变动倍增，导致难以将输入信号保持为相同振幅且相同相位。在该情况下，存在RF输出不均匀，增益或输出降低的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种在使用了多个放大用晶体管的放大器中，能够使信号相位接近均匀的放大器。

本申请发明所涉及的放大器的特征在于，具备：输入匹配电路；至少一个放大用晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第一虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第二虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；以及输出匹配电路，输出该放大用晶体管的输出，该放大用晶体管夹在该第一虚设晶体管和该第二虚设晶体管之间，该放大用晶体管、该第一虚设晶体管以及该第二虚设晶体管沿着该输入匹配电路设置成一列。

本发明的其他特征如下所述。

根据本发明，通过在设置成一列的放大用晶体管的两端设置无助于输出功率的虚设晶体管，能够使信号相位接近均匀。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的放大器的俯视图。

图2是晶体管的放大图。

图3是等效电路图。

图4是实施方式2所涉及的放大器的俯视图。

图5是实施方式3所涉及的放大器的俯视图。

图6是表示阻抗的调整例的图。

图7是表示阻抗的调整例的图。

图8是表示阻抗的调整例的图。

图9是表示阻抗的调整例的图。

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式所涉及的放大器进行说明。有时对相同或对应的结构要素标注相同的附图标记，省略重复的说明。

实施方式1

图1是实施方式1所涉及的放大器的俯视图。该放大器例如作为从微波频带到毫米频带放大高频信号的高频功率放大器发挥功能。该放大器具备输入端子11，例如高频信号被输入到该输入端子11。输入端子11通过接合线12与输入匹配电路13连接。输入匹配电路13例如具有绝缘基板和设置在其上的金属图案。