[发明专利]压电性材料基板与支撑基板的接合体及其制造方法

权利要求书

1.一种接合体，其具备：

支撑基板；

氧化硅层，该氧化硅层设置于所述支撑基板上；以及

压电性材料基板，该压电性材料基板由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成，并设置于所述氧化硅层上，

所述接合体的特征在于，

所述氧化硅层侧的所述压电性材料基板的表面电阻率为1.7×10¹⁵Ω/□以上。

2.根据权利要求1所述的接合体，其特征在于，

所述支撑基板由选自由硅、水晶、硅铝氧氮陶瓷、多铝红柱石、蓝宝石及透光性氧化铝构成的组中的材质形成。

3.一种压电性材料基板与支撑基板的接合体的制造方法，其是将由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成的压电性材料基板和设置有氧化硅层的支撑基板进行接合的方法，

所述压电性材料基板与支撑基板的接合体的制造方法的特征在于，

于150℃以下对所述压电性材料基板的接合面照射氧等离子体，使所述接合面的表面电阻率为1.7×10¹⁵Ω/□以上后，将所述压电性材料基板的所述接合面接合于所述氧化硅层的所述接合面。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

于150℃以下对所述氧化硅层的所述接合面照射氧等离子体而使其活化后，将所述压电性材料基板的所述接合面接合于所述氧化硅层的所述接合面。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，

将所述压电性材料基板的所述接合面接合于所述氧化硅层的所述接合面后，通过研磨而使所述压电性材料基板的厚度减小。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

通过研磨而使所述压电性材料基板的厚度减小至2μm以下。

7.根据权利要求3～6中的任一项所述的方法，其特征在于，

所述支撑基板由选自由硅、水晶、硅铝氧氮陶瓷、多铝红柱石、蓝宝石及透光性氧化铝构成的组中的材质形成。