[发明专利]电磁波传感器

说明书

本发明提供一种电磁波传感器，其能够抑制来自局部热源的热对辐射热计膜造成的影响。电磁波传感器(1)具有：第一基板(2)；与第一基板(2)相对设置的透射红外线的第二基板(3)，在第二基板(3)与第一基板(2)之间形成内部空间(7)；设置在内部空间(7)中的、由第二基板(3)支承的多个辐射热计膜(8)；形成于第一基板(2)的局部热源(9)；将第一基板(2)与第二基板(3)连接的第一电连接部件(5)；和在第二基板(3)上或第二基板(3)内延伸的引线(10)，其将第一电连接部件(5)与辐射热计膜(8)连接。

技术领域

本发明涉及电磁波传感器，特别涉及具有辐射热计膜的红外线传感器。

背景技术

已知一种红外线传感器，其具有辐射热计膜，在红外波长范围检测对象物的温度分布。在这样的红外线传感器中，辐射热计膜因从外部入射到辐射热计膜且被辐射热计膜吸收的红外线而发生温度变化，辐射热计膜的温度变化作为电阻变化而被取出。对象物的温度与从该对象物发射的发射率(辐射能量)之间存在相关关系(斯特藩-玻尔兹曼(Stefan-Boltzmann)定律)。因此，通过检测由从对象物发射的辐射热引起的辐射热计膜的温度变化，能够测定对象物的温度分布。

由上述内容可知，在具有辐射热计膜的红外线传感器中，需要尽可能排除辐射热以外的热的影响。因此，一般而言，为了抑制对流的影响，辐射热计膜设置在具有透射红外线的窗的真空壳体中。另外，具有辐射热计膜的红外线传感器包括将辐射热计膜的电阻变化转换为电信号的ROIC(Read Out Integrated Circuit：读出集成电路)等部件。这样的部件为局部热源，因此，有可能对辐射热计膜的测定结果造成大的影响。即，在搭载有红外线传感器的红外线摄像机中，这样的局部热源可能会被拍摄到图像中。

日本特许第5923617号公报中公开了一种MEMS传感器，其中，在第一晶片上形成有ROIC，在第二晶片上支承有微辐射热计。微辐射热计经由弯曲形状的引线而被第二晶片支承，第二晶片的与微辐射热计相对的面为凹部。由此，微辐射热计配置成浮置在第一晶片与第二晶片之间的空间中。ROIC和微辐射热计通过在与晶片正交的方向上在第一晶片与第二晶片之间延伸的焊锡材料电连接。

发明内容

在日本特许第5923617号公报中公开的MEMS传感器中，作为局部热源的ROIC与微辐射热计设置在不同的晶片(基板)上，因此，能够抑制由ROIC产生的热的影响。但是，来自ROIC的热经由焊锡材料被传递至第二晶片，进而通过引线被传递至微辐射热计，因此，依然无法充分抑制来自ROIC的热的影响。

本发明的目的在于提供一种电磁波传感器，其能够抑制来自局部热源的热对辐射热计膜造成的影响。

本发明提供一种电磁波传感器，其具有：第一基板；与第一基板相对设置的透射电磁波的第二基板，在第二基板与第一基板之间形成内部空间；设置在该内部空间中的、由第二基板支承的多个辐射热计膜；形成于第一基板的局部热源；将第一基板与第二基板连接的第一电连接部件；和在第二基板上或第二基板内延伸的引线，其将第一电连接部件与辐射热计膜连接。

引线在第二基板上或第二基板内延伸。换言之，引线沿着其路径与第二基板物理接触。从局部热源经由第一电连接部件向引线传递的热，穿过沿着其路径的物理上的接触部而向第二基板扩散。即，第二基板作为吸收引线的热的吸热件发挥作用，因此，能够抑制来自局部热源的热对辐射热计膜造成的影响。

上述的以及其它的本申请的目的、特征和优点，通过参照例示本申请的附图的在下面叙述的详细说明，将变得明确。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式的红外线传感器的概略侧面图。

图2是从图1的Z方向上方看的红外线传感器的概略平面图。

图3是图1所示的红外线传感器的立体图。

图4是第二防反射膜的概略截面图。