[发明专利]光固化性含硅被覆膜形成用组合物

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜被覆基板的制造方法，其包含下述工序：在具有高低差的基板上涂布光固化性含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物的工序(i)；以及将该光固化性含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物曝光的工序(ii)，

工序(ii)的曝光所使用的光的波长为150nm～248nm，

工序(ii)的曝光光量为10mJ/cm²～3000mJ/cm²，

所述光固化性含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物包含水解性硅烷、其水解物、或其水解缩合物，

该水解性硅烷由式(1)表示，

R¹_aR²_bSi(R³)_4-(a+b) 式(1)

在式(1)中，R¹为包含下述有机基(1)、有机基(2)、有机基(3)、有机基(4)、酚醛塑料形成基(5)、或它们的组合的有机基，所述有机基(1)含有碳原子与碳原子、氧原子或氮原子形成的多重键，所述有机基(2)含有环氧结构，所述有机基(3)含有硫，所述有机基(4)含有酰胺基、伯氨基～叔氨基、或伯铵基～叔铵基，所述酚醛塑料形成基(5)包含含有苯酚基的有机基或产生苯酚基的有机基、与含有羟甲基的有机基或产生羟甲基的有机基，并且R¹通过Si-C键与硅原子结合；R²为烷基并且通过Si-C键与硅原子结合；R³表示烷氧基、酰氧基或卤基；a表示1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜被覆基板的制造方法，在工序(i)的将光固化性含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布于具有高低差的基板后，加入下述工序(ia)：将其在70～400℃的温度下加热10秒～5分钟。

3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜被覆基板的制造方法，工序(ii)在存在氧气和/或水蒸气的非活性气体气氛下进行曝光。

4.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜被覆基板的制造方法，基板具有开放区域即非图案区域、以及密DENCE和疏ISO的图案区域，且图案的长宽比为0.1～10。

5.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜被覆基板的制造方法，基板具有开放区域即非图案区域、以及密DENCE和疏ISO的图案区域，且开放区域与图案区域的涂布高低差Bias为1～50nm。

6.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜被覆基板的制造方法，所述水解性硅烷包含式(1)所示的水解性硅烷、以及选自式(2)所示的水解性硅烷和式(3)所示的水解性硅烷中的至少1种水解性硅烷，

R⁴_cSi(R⁵)_4-c 式(2)

在式(2)中，R⁴为烷基或芳基，并且通过Si-C键与硅原子结合，R⁵表示烷氧基、酰氧基或卤基，c表示0～3的整数；

〔R⁶_dSi(R⁷)_3-d〕₂Y_e 式(3)

在式(3)中，R⁶为烷基或芳基，并且通过Si-C键与硅原子结合，R⁷表示烷氧基、酰氧基或卤基，Y表示亚烷基或亚芳基，d表示0或1，e为0或1。

7.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜被覆基板的制造方法，含有碳原子与碳原子形成的多重键的有机基(1)为乙烯基、炔丙基、烯丙基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、苯乙烯基、取代苯基、降冰片烯基、或含有它们的有机基。

8.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜被覆基板的制造方法，含有碳原子与氧原子形成的多重键的有机基(1)为羰基、酰基、或含有它们的有机基。