[发明专利]脱模膜

说明书

本发明的课题是提供，通过具有模具追随性、耐热性优异，并且抑制加热时产生的褶皱，在大变形后脱模性也不易变化的特性，从而可以适合用于工序用途、特别是半导体密封工序用途的脱模膜。解决手段是一种工序用脱模膜，在将利用TMA测得的、以10℃/分钟从30℃升温到200℃时的30℃～150℃中的最大尺寸变化率设为S1(％)，将提供S1的温度设为T1(℃)，且将40℃下的尺寸变化率设为S0(％)时，满足下述(I)和(II)式，25℃下的表面自由能Sa(mN/mm)、在180℃下进行了3分钟热处理后的表面自由能Sb(mN/mm)和在180℃下伸长50％后的表面自由能Sc(mN/mm)在膜的至少一面满足下述(III)和(IV)式。0≤S1≤1.5 (I);0≤|S1‑S0|/(T1‑40)≤0.050 (II);0≤|Sa‑Sb|≤15 (III);0≤|Sa‑Sc|≤15 (IV)。

技术领域

本发明涉及脱模膜，可以适合用于电路制造工序、半导体制造工序等用途，特别是可以适合用作半导体密封工序用脱模膜。

背景技术

以保护其不受光、热、水分、物理冲击等外部干扰作为目的，半导体芯片被树脂密封，作为被称为封装的成型品而被安装在基板上。半导体芯片的密封使用了环氧树脂等固化性树脂。作为半导体芯片的密封方法，已知所谓的传递成型法或压缩成型法，但近年来，以半导体晶片的大面积化、封装的低高度化、多管脚化这样的形状的倾向作为背景而导入压缩成型法。

压缩成型法是在加热状态下通过模具升降来将熔融了的密封树脂进行压缩、固化的方法。此时，为了确保模具与密封树脂的脱模性，在它们之间插入脱模膜的方法是一般方法。作为脱模膜，广泛使用脱模性、耐热性、和对模具形状的追随性优异的乙烯-四氟乙烯共聚物的膜，但具有通过加热时的膨胀而产生的褶皱转印于封装表面的课题，期望改善。

为了解决这样的课题，迄今为止提出了下述那样的膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-92272号公报

专利文献2：日本特开2016-127091号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，专利文献1、2所记载的叠层了脱模层的聚酯膜虽然以相对于乙烯-四氟乙烯共聚物的膜而言尺寸稳定性高的聚酯作为基材，但上述加热时产生褶皱的课题未被改善。进而具有下述问题：模具追随性或耐热性不充分，并且，在膜的变形量大的位置失去脱模性，不能部分地剥离。

本发明的课题是解决上述现有技术的问题。即，提供通过具有模具追随性、耐热性优异，并且抑制加热时产生的褶皱，在大变形后脱模性也不易变化的特性，从而可以适合用于工序用途、特别是半导体密封工序用途的脱模膜。

用于解决课题的方法

用于解决这样的课题的本发明的主旨如下所述。

(1)

一种工序用脱模膜，在将利用热机械分析(TMA)测得的、以10℃/分钟从30℃升温到200℃时的30℃～150℃中的最大尺寸变化率设为S1(％)，将提供S1的温度设为T1(℃)，且将40℃下的尺寸变化率设为S0(％)时，满足下述(I)和(II)式，25℃下的表面自由能Sa(mN/mm)、在180℃下进行了3分钟热处理后的表面自由能Sb(mN/mm)、以及在180℃下伸长50％后的表面自由能Sc(mN/mm)在膜的至少一面满足下述(III)和(IV)式。

0≤S1≤1.5 (I)

0≤|S1-S0|/(T1-40)≤0.050 (II)

0≤|Sa-Sb|≤15 (III)

0≤|Sa-Sc|≤15 (IV)