[发明专利]造口术系统的附属装置以及用于传达泄漏状态的相关方法有效
| 申请号: | 201880079428.6 | 申请日: | 2018-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN111447898B | 公开(公告)日: | 2023-02-10 |
| 发明(设计)人: | J·A·汉森;N·维德;D·G·道高-延森;P·F·瑟伦森;D·B·安徒生;F·斯皮尔曼 | 申请(专利权)人: | 科洛普拉斯特公司 |
| 主分类号: | A61F5/44 | 分类号: | A61F5/44;A61F5/443;A61F5/445 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 曹瑾 |
| 地址: | 丹麦胡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 造口术 系统 附属 装置 以及 用于 传达 泄漏 状态 相关 方法 | ||
1.一种在附属装置中执行的用于传达造口术器具的泄漏状态的方法,所述造口术器具包括被配置成放在使用者的皮肤表面上的底板,所述底板包括第一粘合剂层和位于所述第一粘合剂层的远侧的多个电极,所述第一粘合剂层具有被配置用于将所述底板附接至使用者的皮肤表面的近侧并且具有带有中心点的造口开口,所述多个电极被配置用于在一级感测区和二级感测区中检测在所述第一粘合剂层的近侧处流体的存在,所述一级感测区布置在从所述第一粘合剂层的所述中心点的一级角度空间中,所述二级感测区布置在从所述第一粘合剂层的所述中心点的二级角度空间中,其中所述附属装置包括接口,所述接口被配置用于与包括所述造口术器具的造口术系统的监测装置通信,所述方法包括:
-从所述监测装置获得监测器数据,所述监测器数据包括通过所述监测装置从所述底板的所述多个电极获得的造口术数据,所述监测器数据指示在所述一级感测区和所述二级感测区中在所述底板的所述第一粘合剂层的近侧处流体的存在,进而指示在所述底板的所述第一粘合剂层的近侧处流体的角位置;
-基于所述监测器数据来确定指示所述底板的动态内部状态的泄漏状态,所述泄漏状态包括指示在所述一级感测区中的泄漏的第一泄漏状态或指示在所述二级感测区中的泄漏的第二泄漏状态,以及
-经由所述接口来传达所述底板的泄漏状态。
2.根据权利要求1所述的方法,所述方法包括:确定所述泄漏状态是否满足指示泄漏风险的泄漏指标,并且执行以下步骤:当所述泄漏状态满足所述泄漏指标时传达所述泄漏状态。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述造口术器具包括造口术袋和所述底板,并且其中,获得监测器数据包括:从所述底板获得监测器数据,所述监测器数据指示在所述底板的所述第一粘合剂层的近侧处流体的存在。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述多个电极被配置用于在所述一级感测区和所述二级感测区中检测在所述近侧上流体的存在,所述多个电极包括第一泄漏电极、第二泄漏电极、和第三泄漏电极,并且其中,获得监测器数据包括获得表示在所述一级感测区和所述二级感测区中在所述近侧上流体的检测的数据。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述监测器数据包括造口术数据和/或参数数据。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述造口术数据和/或所述参数数据指示所述多个电极中的任两个电极之间的电阻、所述多个电极中的任两个电极之间的电容和/或电感、和/或其任何变化。
7.根据权利要求5至6中任一项所述的方法,其中,获得所述监测器数据包括:获得与所述底板的所述第一粘合剂层的近侧处的位置和/或区有关的局部监测器数据、和/或时间信息数据,并且其中,确定所述泄漏状态包括:确定泄漏位置和/或泄漏时间信息。
8.根据权利要求2所述的方法,其中,基于所述监测器数据来确定所述造口术器具的泄漏状态包括:基于所述监测器数据来确定一种或多种水分模式类型。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,基于所述监测器数据来确定一种或多种水分模式类型包括:基于参数数据来识别水分模式类型。
10.根据权利要求8至9中任一项所述的方法,其中,当基于所述一种或多种水分模式类型在所述近侧处识别出排出物泄漏时,所述泄漏指标被满足。
11.根据权利要求8至9中任一项所述的方法,其中,基于所述监测器数据来确定所述造口术器具的泄漏状态包括:基于所述一种或多种水分模式类型来推导出所述泄漏状态。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述接口包括音频接口、视觉接口、和/或收发器模块。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科洛普拉斯特公司,未经科洛普拉斯特公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880079428.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





