[发明专利]垂直腔面发射激光器

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器，其包括：

-第一电触点(105)，

-第二电触点(135)，以及

-光学谐振器，所述光学谐振器包括第一分布式布拉格反射器(115)、有源层(120)、分布式异质结双极光电晶体管(125)、第二分布式布拉格反射器(130)和光学引导结构(137)，所述分布式异质结双极光电晶体管(125)包括集电极层(125a)、光敏层(125c)、基极层(125e)和发射极层，

其中，分布式异质结双极光电晶体管(125)布置成使得有源层(120)与分布式异质结双极光电晶体管(125)之间存在光学耦合，以用于借助于分布式异质结双极光电晶体管(125)提供有源载流子限制，

其中，光学引导结构(137)设置为能够在垂直腔面发射激光器的操作期间引导垂直腔面发射激光器的光学谐振器内的光学模式，光学引导结构(137)确定了光学模式的位置并且确定了分布式异质结双极光晶体管(125)在其中导电的体积区，

其中，光学引导结构(137)布置在能够在垂直腔面发射激光器的操作期间借助于第一电触点(105)和第二电触点(135)提供的电流之外，

其中，光学引导结构(137)在垂直腔面发射激光器的竖直方向上布置在第一电触点(105)与第二电触点(135)之间的层序列之外，其中，光学引导结构(137)包括布置在第二分布式布拉格反射器(130)中的氧化物孔。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其中，光学引导结构(137)布置成使得与光学谐振器的沿中心轴线(10)的有效光学长度相比，光学谐振器的有效光学长度在绕光学谐振器的中心轴线(10)间隔限定的距离(12)处发生变化，其中，与间隔限定的距离(12)处的有效光学长度相比，光学谐振器的沿中心轴线(10)的有效光学长度较长，其中，所述中心轴线(10)垂直于构建光学谐振器的层。

3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其中，光学引导结构(137)布置成能够减小光学谐振器的绕光学谐振器的中心轴线(10)间隔大于限定的距离(12)处的有效光学长度。

4.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其中，光学引导结构(137)布置成能够增大光学谐振器的有效光学长度直至绕光学谐振器的中心轴线(10)间隔限定的距离(12)。

5.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器，其中，光学引导结构(137)是相移结构，其中，所述相移结构布置成能够增大光学谐振器的有效光学长度直至限定的距离(12)。

6.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器，其中，相移结构包括包含从包括SiO₂、SiN_x和基于GaAs的半导体的组中选择的材料的层。

7.根据前述权利要求中任一项所述的垂直腔面发射激光器，其中，光学引导结构的尺寸小于第一电触点和第二电触点中的至少一个的孔径。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的垂直腔面发射激光器，其中，光学引导结构(137)具有与第一分布式布拉格反射器(115)和第二分布式布拉格反射器(130)中的至少一个相比不同的折射率。

9.根据权利要求1-6中的任一项所述的垂直腔面发射激光器，其中，垂直腔面发射激光器还包括电流扩散层(127)，所述电流扩散层直接附接至第一电触点(105)或第二电触点(135)。

10.根据权利要求9所述的垂直腔面发射激光器，其中，在垂直腔面发射激光器的操作期间，电流扩散层(127)布置在驻波图形(310)的节点中。

11.根据权利要求10所述的垂直腔面发射激光器，其中，发射极层包括电流扩散层(127)。