[发明专利]磁传感器

说明书

第一磁性体构件(40)位于比第一磁阻元件的外周缘靠内侧的区域。第二磁阻元件位于比第一磁阻元件的内周缘靠内侧的区域且被第一磁性体构件(40)覆盖，或者位于比第一磁阻元件的外周缘靠外侧的区域且被第二磁性体构件覆盖。第一导电体部(60)包括第一基部(61)以及从与绝缘层正交的方向观察到的外形面积比第一基部(61)的外形面积小的第一狭小部(62)。在第一导电体部(60)中，第一基部(61)与第一狭小部(62)在与绝缘层正交的方向上排列设置。

技术领域

本发明涉及磁传感器，尤其涉及包括磁阻元件的磁传感器。

背景技术

作为公开了磁传感器的结构的现有文献，具有日本特开2013-44641号公报(专利文献1)、国际公开第2015/182365号(专利文献2)、国际公开第2016/013345号(专利文献3)、国际公开第2007/119569号(专利文献4)、以及日本特开2017-166925号公报(专利文献5)。

专利文献1所记载的磁传感器具备相互连接而构成桥电路并且分别形成为蜿蜒状的第一磁阻元件、第二磁阻元件、第三磁阻元件及第四磁阻元件。第一磁阻元件、第二磁阻元件、第三磁阻元件及第四磁阻元件的表面被绝缘膜覆盖。在作为所谓的固定电阻的第三磁阻元件及第四磁阻元件的表面，隔着绝缘膜而形成有由磁性材料构成的磁通集磁膜。

专利文献2及专利文献3所记载的磁传感器具备第一磁阻元件、以及电阻变化率比第一磁阻元件小的第二磁阻元件。作为所谓的磁敏元件的第一磁阻元件包括呈同心圆状配置的图案。

专利文献4所记载的磁传感器具备设置有多个霍尔元件的半导体基板、以及设置在半导体基板上的具有磁放大功能的磁性体。在半导体基板上设置有成为磁性体的基底的基底层。基底层具有与多个霍尔元件不同的热膨胀率。基底层具有至少局部覆盖多个霍尔元件的区域的面积。磁性体具有比基底层的面积大的面积。

专利文献5所记载的磁传感器具有设置有多个霍尔元件的半导体基板、以及设置在半导体基板上的具有磁收敛功能的磁性体。在半导体基板上的磁性体的规定纵截面外形形状的外周部，具有在外周部的至少一部分具有曲线形状的部分、以及与半导体基板大致平行的部分。在磁性体内部埋入有由非磁性物质构成的构造体的至少一部分。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-44641号公报

专利文献2：国际公开第2015/182365号

专利文献3：国际公开第2016/013345号

专利文献4：国际公开第2007/119569号

专利文献5：日本特开2017-166925号公报

发明内容

发明要解决的课题

在专利文献1所记载的磁传感器中，作为所谓的磁敏元件的第一磁阻元件及第二磁阻元件分别包括蜿蜒状的图案，因此，水平磁场的检测的各向同性较低。

在专利文献2及专利文献3所记载的磁传感器中，第一磁阻元件包括呈同心圆状配置的图案，因此，水平磁场的检测的各向同性较高，但无法检测微弱的垂直磁场。

在专利文献4及专利文献5所记载的磁传感器中，是具备霍尔元件的磁传感器，未考虑使用磁阻元件来检测水平磁场及垂直磁场。

本发明是鉴于上述的问题点而完成的，其目的在于，提供一种磁传感器，该磁传感器使用磁阻元件，水平磁场的检测的各向同性较高，还能够检测微弱的垂直磁场，并且，能够抑制由于从设置于磁阻元件的上方的构造体作用于磁阻元件的应力而使输出精度下降。

用于解决课题的手段