[发明专利]翻转电压跟随器低压差稳压器

权利要求书

1.一种低压差稳压器，包括：

运算放大器，具有输出、正输入和负输入；

翻转电压跟随器FVF，具有增益设备、源极跟随器设备、以及被耦合在所述源极跟随器设备的漏极和所述增益设备的栅极之间的自适应电平移位器，以及

多个副本FVF，所述多个副本FVF中的每个FVF具有：

副本增益设备；

副本源极跟随器设备，具有用以输出输出电压的源极、以及被耦合到所述运算放大器的所述输出的栅极；以及

副本自适应电平移位器，耦合在所述副本源极跟随器设备的漏极和所述副本增益设备的栅极之间，其中所述副本自适应电平移位器包括：

第三二极管，耦合在所述副本源极跟随器设备的所述漏极和所述副本增益设备的所述栅极之间；

副本补偿电容器，耦合在所述副本源极跟随器设备的所述漏极和所述副本增益设备的所述栅极之间；以及

第四二极管，耦合在所述副本增益设备的所述栅极和电源轨之间。

2.根据权利要求1所述的低压差稳压器，其中所述源极跟随器设备的栅极被耦合到所述运算放大器的所述输出，并且所述增益设备的漏极被耦合到所述运算放大器的所述负输入。

3.根据权利要求1所述的低压差稳压器，其中所述自适应电平移位器包括：

第一二极管，耦合在所述源极跟随器设备的所述漏极和所述增益设备的所述栅极之间；

补偿电容器，耦合在所述源极跟随器设备的所述漏极和所述增益设备的所述栅极之间；以及

第二二极管，耦合在所述增益设备的所述栅极和电源轨之间。

4.根据权利要求3所述的低压差稳压器，其中所述源极跟随器设备是n型金属氧化物半导体nMOS M1，所述增益设备是nMOS M2，并且所述电源轨是Vss。

5.根据权利要求3所述的低压差稳压器，其中所述源极跟随器设备是p型金属氧化物半导体设备pMOS M3，所述增益设备是pMOS M4，并且所述电源轨是Vdd。

6.根据权利要求1所述的低压差稳压器，其中所述副本源极跟随器设备是n型金属氧化物半导体设备nMOS，所述副本增益设备是nMOS，并且所述电源轨是Vss。

7.根据权利要求1所述的低压差稳压器，其中所述副本源极跟随器设备是p型金属氧化物半导体设备pMOS，所述副本增益设备是pMOS，并且所述电源轨是Vdd。

8.一种触摸感测控制器驱动器，包括：

多个开关，所述多个开关中的每个开关被配置为耦合到触摸面板的信号线；

信号驱动器，具有上部低压差稳压器和下部低压差稳压器，所述上部低压差稳压器被耦合到所述多个开关以将电流提供给所述多个开关，所述下部低压差稳压器被耦合到所述多个开关以从所述多个开关吸收电流，其中所述下部低压差稳压器包括：

下部运算放大器，具有输出、正输入和负输入；以及

下部翻转电压跟随器FVF，具有下部增益设备、下部源极跟随器设备、以及被耦合在所述下部源极跟随器设备的漏极和所述下部增益设备的栅极之间的下部自适应电平移位器。

9.根据权利要求8所述的触摸感测控制器驱动器，其中所述下部源极跟随器设备的栅极被耦合到所述下部运算放大器的所述输出，并且所述下部增益设备的漏极被耦合到所述下部运算放大器的所述负输入。

10.根据权利要求8所述的触摸感测控制器驱动器，其中所述下部自适应电平移位器包括：

第一二极管连接的nMOS，耦合在所述下部源极跟随器设备的所述漏极和所述下部增益设备的所述栅极之间；

下部补偿电容器，耦合在所述下部源极跟随器设备的所述漏极和所述下部增益设备的所述栅极之间；以及

第二二极管连接的nMOS，耦合在所述下部增益设备的所述栅极和Vss之间。