[发明专利]用于D类放大器的负载电流感测系统及方法有效
申请号: | 201880074166.4 | 申请日: | 2018-11-16 |
公开(公告)号: | CN111328452B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 申旦;L.克雷斯皮;D.卡塔塞纳 | 申请(专利权)人: | 辛纳普蒂克斯公司 |
主分类号: | H04R3/00 | 分类号: | H04R3/00;G11C27/02;H01L29/78;H03F3/185;H03F3/217 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王星;闫小龙 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 放大器 负载 流感 系统 方法 | ||
1.一种负载电流感测系统,包括:
在源极端子处耦合到负载的第一晶体管开关,其可操作以响应于耦合到所述第一晶体管开关的栅极端子的第一脉宽调制控制信号来传导所述负载中的电流;
在漏极端子处耦合到所述负载的第二晶体管开关,其可操作以响应于耦合到所述第二晶体管开关的栅极端子的第二脉宽调制控制信号来传导所述负载中的电流,其中所述第二晶体管开关的所述漏极端子耦合到所述第一晶体管开关的所述源极端子;以及
在所述负载和电流感测电路之间耦合的取样与保持电路,其可操作以响应于第二脉宽调制控制信号时间段的中点在预定的取样时间段内对在所述第二晶体管开关的所述漏极端子处的电压进行取样,并且可操作以向所述电流感测电路提供所述取样电压。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述取样与保持电路可操作以在多个连续的第二脉宽调制控制信号时间段中的每个的所述中点处取样所述漏极电压,以提供多个连续的取样电压。
3.根据权利要求2所述的系统,其中所述取样与保持电路还包括触发电路,所述触发电路可操作以触发所述取样与保持电路在所述多个连续的第二脉宽调制控制信号时间段中的每个的所述中点处取样所述漏极电压。
4.根据权利要求2所述的系统,其中所述取样与保持电路可操作以对所述多个连续的取样电压中的两个或更多个进行平均,以生成平均的取样电压,并且其中所述取样与保持电路还可操作以在所述预定取样时间段内将所述平均的取样电压提供给所述电流感测电路。
5.根据权利要求4所述的系统,其中所述电流感测电路是电流镜电路,其中所述取样与保持电路还可操作以向所述电流镜电路提供在所述预定取样时间段内的所述平均的取样电压,并且其中所述电流镜电路可操作以响应于所述平均的取样电压感测流经所述负载的电流。
6.根据权利要求5所述的系统,其中所述电流感测电路耦合到扬声器保护电路,所述电流感测电路可操作以向所述扬声器保护电路提供对应于所述感测的电流的数字化信号,其中所述扬声器保护电路可操作以调整所述第一和第二脉宽调制控制信号的频率,以在所述负载中的所述电流超过上限电流阈值时减少流经所述负载的电流。
7.根据权利要求1所述的系统,其中所述负载包括扬声器。
8.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一和第二晶体管开关包括D类放大器H桥输出级。
9.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一晶体管开关和所述第二晶体管开关包括n沟道横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。
10.根据权利要求1所述的系统,所述系统还包括:
在源极端子处耦合到所述负载的第三晶体管开关,其可操作以响应于耦合到所述第三晶体管开关的栅极端子的第三脉宽调制控制信号来传导所述负载中的所述电流;
在漏极端子处耦合到所述负载的第四晶体管开关,其可操作以响应于耦合到所述第四晶体管开关的栅极端子的第四脉宽调制控制信号来传导所述负载中的所述电流,其中所述第四晶体管开关的所述漏极端子连接到所述第三晶体管开关的所述源极端子;以及
在所述负载和第二电流感测电路之间耦合的第二取样与保持电路,其可操作以响应于第四脉宽调制控制信号时间段的中点在预定的取样时间段内对在所述第四晶体管开关的所述漏极端子处的第二电压进行取样,并且可操作以向所述第二电流感测电路提供取样的所述第二电压。
11.一种负载电流感测方法,包括:
响应于耦合到第一晶体管开关的栅极端子的第一脉宽调制控制信号来传导负载中的电流;
响应于耦合到第二晶体管开关的栅极端子的第二脉宽调制控制信号来传导所述负载中的所述电流;以及
响应于第二脉宽调制控制信号时间段的中点在预定的取样时间段内对在所述第二晶体管开关的漏极端子处的电压进行取样,以向电流感测电路提供所述取样电压。
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