[发明专利]光学传感器在审
申请号: | 201880070266.X | 申请日: | 2018-10-24 |
公开(公告)号: | CN111542367A | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 阿兰·卡佩;弗朗索瓦·丹内维尔;弗吉尼亚·霍尔;克里斯多夫·卢瓦耶;伊利亚斯·索里科普洛斯 | 申请(专利权)人: | 里尔中央理工学校;法国豪斯理工大学;国家科学研究中心(CNRS);法国豪斯英科大学;里尔大学 |
主分类号: | A61N1/05 | 分类号: | A61N1/05;A61N1/36;A61F2/14;A61F9/08;H01L27/146 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华;何月华 |
地址: | 法国阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 传感器 | ||
1.一种光学传感器(1),所述光学传感器(1)特别是人造视网膜,所述光学传感器(1)包括至少一个光敏电池,每个电池包括:
-积分电容器(Cm),
-读取电路(10),所述读取电路(10)的操作取决于所述积分电容器(Cm)上的电荷,
-至少一个MOS晶体管(3;31;32),所述至少一个MOS晶体管(3;31;32)在亚阈值下操作,且所述至少一个MOS晶体管(3;31;32)的漏极-源极电流影响所述积分电容器(Cm)上的所述电荷,
-至少一个光电二极管(2;21;22),所述至少一个光电二极管(2;21;22)在光电压模式下操作且连接至所述晶体管的栅极,使得所述MOS晶体管的所述漏极-源极电流取决于由所述光电二极管接收的光功率。
2.如前一项权利要求所述的传感器(1),所述晶体管(3;31)是激活晶体管,该激活晶体管布置成在照亮连接至该激活晶体管的栅极的所述光电二极管(2;21)时,对所述积分电容器(Cm)进行充电。
3.如权利要求2所述的传感器(1),所述激活晶体管(3;31)是PMOS类型的。
4.如权利要求1所述的传感器(1),所述晶体管(32)是去激活晶体管,该去激活晶体管布置成在照亮连接至该去激活晶体管的栅极的所述光电二极管(22)时,使所述积分电容器(Cm)进行放电。
5.如权利要求4所述的传感器(1),所述去激活晶体管(32)是NMOS类型的。
6.如前述权利要求中任一项所述的传感器(1),所述电池包括多个激活晶体管(3;31),所述多个激活晶体管(3;31)并联安装,且各自由连接至相应栅极并在光电压模式下操作的一个光电二极管(2;21)控制,各个激活晶体管(3;31)布置成在照亮所述光电二极管(2;21)时,对所述积分电容器(Cm)进行充电。
7.如前述权利要求中任一项所述的传感器(1),所述电池包括多个去激活晶体管(32),所述多个去激活晶体管(32)并联安装,且各自由连接至相应栅极并在光电压模式下操作的一个光电二极管(22)控制,各个去激活晶体管(32)布置成在照亮所述光电二极管(22)时,使所述积分电容器(Cm)进行放电。
8.如前述权利要求中任一项所述的传感器(1),所述电池包括:
-至少一个MOS激活晶体管(3;31),所述至少一个MOS激活晶体管(3;31)在亚阈值下操作,且所述至少一个MOS激活晶体管(3;31)的漏极-源极电流影响所述积分电容器(Cm)上的电荷,
-至少一个如下光电二极管(2;21),该光电二极管(2;21)在光电压模式下操作且连接至所述激活晶体管(3;31)的栅极,使得所述漏极-源极电流取决于由所述光电二极管(2;21)接收的光功率,所述激活晶体管(3;31)布置成在照亮所述光电二极管(2;21)时,对所述积分电容器(Cm)进行充电,
-至少一个MOS去激活晶体管(32),所述至少一个MOS去激活晶体管(32)在亚阈值下操作,且所述至少一个MOS去激活晶体管(32)的漏极-源极电流影响所述积分电容器(Cm)上的电荷,以及
-至少一个如下光电二极管(22),该光电二极管(22)在光电压模式下操作且连接至所述去激活晶体管(32)的栅极,使得所述漏极-源极电流取决于由所述光电二极管(22)接收的光功率,所述去激活晶体管(32)布置成在照亮所述光电二极管(22)时,使所述积分电容器(Cm)进行放电。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于里尔中央理工学校;法国豪斯理工大学;国家科学研究中心(CNRS);法国豪斯英科大学;里尔大学,未经里尔中央理工学校;法国豪斯理工大学;国家科学研究中心(CNRS);法国豪斯英科大学;里尔大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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