[发明专利]固态摄像元件和电子器件有效

专利信息
申请号: 201880064783.6 申请日: 2018-11-16
公开(公告)号: CN111183633B 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 小幡健一;中沟正彦 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H04N25/77 分类号: H04N25/77;H01L27/146
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 曹正建;陈桂香
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 固态 摄像 元件 电子器件
【权利要求书】:

1.一种固态摄像元件,其包括:

像素,其至少包括光电转换单元、浮动扩散单元和放大晶体管,所述光电转换单元被构造为执行光电转换,在所述光电转换单元中产生的电荷被传输到所述浮动扩散单元,所述放大晶体管的栅极与所述浮动扩散单元连接;以及

第一金属氧化物半导体晶体管,在对与由所述像素接收的光量相对应的像素信号执行模数转换时所参考的参考信号被输入至所述第一金属氧化物半导体晶体管;

其中,采用共用结构,在所述共用结构中,预定数量的所述像素共用模数转换器,所述模数转换器由差分对构成,所述差分对由所述第一金属氧化物半导体晶体管和所述放大晶体管组成,

每个所述像素设置有选择晶体管,所述选择晶体管用于将所述像素选择为被执行所述像素信号的模数转换的像素,并且

所述共用结构中的预定数量的所述像素包括第一像素和第二像素,所述第一像素的所述光电转换单元中产生的电荷和所述第二像素的所述光电转换单元中产生的电荷在同一时刻分别被传输到所述第一像素的所述浮动扩散单元和所述第二像素的所述浮动扩散单元。

2.根据权利要求1所述的固态摄像元件,还包括:

第二金属氧化物半导体晶体管,恒定偏置电压被输入至所述第二金属氧化物半导体晶体管,

其中,所述选择晶体管布置在相对于所述放大晶体管靠近所述第二金属氧化物半导体晶体管的一侧。

3.根据权利要求1所述的固态摄像元件,还包括:

第二金属氧化物半导体晶体管,恒定偏置电压被输入至所述第二金属氧化物半导体晶体管,

其中,所述选择晶体管布置在相对于所述放大晶体管与所述第二金属氧化物半导体晶体管相反的一侧。

4.根据权利要求3所述的固态摄像元件,

其中,所述固态摄像元件具有通过堆叠像素芯片和电路芯片获得的层叠结构,在所述像素芯片中至少形成有所述光电转换单元,在所述电路芯片中形成有信号处理电路,所述信号处理电路对所述像素信号执行信号处理,并且

所述选择晶体管形成在所述电路芯片这一侧。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的固态摄像元件,

其中,所述像素还包括释放晶体管,所述释放晶体管在曝光开始之前对累积在所述光电转换单元中的电荷进行释放。

6.一种包括根据权利要求1至5中任一项所述的固态摄像元件的电子器件。

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