[发明专利]基于存储设备内部地址的冗余编码条带

说明书

本文所公开的技术有效地使用在非易失性存储器系统中的非易失性存储设备中可用的存储器。在一个方面，管理器收集足够的数据以填充冗余编码条带的整个组块，并且请求将所述整个组块一起写入到选择的非易失性存储设备中。所选择的非易失性存储设备可返回写入所述整个组块的内部地址。所述管理器可存储标识存储每个组块的所述内部地址的条带映射。

技术领域

本技术涉及非易失性存储器系统。

背景技术

半导体存储器设备已经变得越来越普遍用于各种电子设备。例如，非易失性半导体存储器用在蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备、固态驱动器以及其他设备中。

电荷存储材料诸如导电浮栅或者非导电电荷俘获材料可用在一些类型的存储器单元中以存储表示数据状态的电荷。存储器单元可以是晶体管，其中电荷存储材料可驻留在沟道与控制栅极之间。电荷存储材料可与沟道和控制栅极两者绝缘。电荷存储材料可被竖直布置在三维(3D)堆叠的存储器结构中，或者被水平布置在二维(2D)存储器结构中。3D存储器结构的一个示例是位成本可扩展(BiCS)体系结构，该体系结构包括交替的导电层和介电层的堆叠。

一些类型的存储器单元可通过改变电荷存储材料中的电荷来编程，从而改变存储器单元晶体管的阈值电压(Vth)。在一种技术中，在沟道中

以低电压向控制栅极施加编程电压，以将电荷添加至电荷存储材料。在施加编程电压之后，通过向控制栅极施加验证电压并且测试存储器单元是否传导显著电流来测试存储器单元的阈值电压。可向控制栅极施加附加编程电压，接着施加验证电压，直到存储器单元的阈值电流在目标范围内。

其他类型的存储器单元可被编程为不同电阻级别。例如，电阻随机存取存储器(ReRAM)可在高电阻状态与低电阻数据状态之间可逆地切换。在一些存储器单元中，ReRAM单元可在两个以上不同电阻状态之间可逆地切换。每个电阻状态可对应于电阻范围。

附图说明

为了更详细地理解本公开，可通过参考各种实施方案的特征得到更具体的描述，该实施方案中的一些在附图中示出。然而，附图仅示出了更相关的本公开特征，因此不被认为是限制性的，因为描述可承认其他有效特征。

图1A是示出根据一些实施方案的包括非易失性存储器系统的分布式计算系统的框图。

图1B是示出根据一些实施方案的包括一个或多个非易失性存储设备的分布式计算系统的框图。

图2A是可实践实施方案的示例存储设备的框图。

图2B是示例存储设备的框图，描绘了图2A的控制器122的附加细节。

图2C描绘了存储器单元阵列的示例性结构。

图3是示出根据一些实施方案的主存储器的具体实施的框图。

图4是管理器系统的一个实施方案的框图。

图5A是冗余编码条带的示例。

图5B描绘了条带映射中一个条目的示例。

图5C描绘了在存储设备外部具有大型写串行化表的常规系统的示例。

图5D是消除了对存储设备外部的写串行化表的需求的非易失性存储设备的一个实施方案的框图。

图6是操作非易失性存储系统的过程600的一个实施方案的流程图。

图7提供了擦除块的物理地址和逻辑地址的一个实施方案的进一步细节。

图7A描绘了图7中条目704-2的进一步细节，示出了偏移716-1至716-m。

图7B描绘了基于擦除块虚拟化数据结构的一个实施方案中的条目的冗余条带的一个示例。