[发明专利]MBFEX管

权利要求书

1.一种用于x射线装置的MBFEX管(1)，所述MBFEX管(1)包括在真空管(20)中的阳极(30)，所述阳极被设计为冷却指并牢固地布置在所述真空管中；以及多个牢固地布置的阴极(40、41、42)，其中所述真空管(20)包括多个阴极供给管线(50)和不超过两个高压套管(51、52)，在高压套管(52)中，内部冷却剂内管道(32)穿过冷却剂管道(31)，提供所述冷却剂管道(31)和所述冷却剂内管道(32)，以用液体冷却剂冷却所述阳极(30)，提供所述阴极(40、41、42)用于电子的场发射，且所述阴极在每种情况下都朝向所述阳极(30)定向以产生x射线源(Q)，其中，在所述阴极(40、41、42)上方布置了至少一个引出栅(71)，所述引出栅(71)呈具有相互平行的边缘条(78)的矩形形式，所述边缘条通过栅条(77)彼此连接以形成单件，其中在所述栅条(77)与所述边缘条(78)之间的过渡处形成圆形过渡区(79)，所述栅条(77)在每种情况下通过所述圆形过渡区呈细长S形式。

2.根据权利要求1所述的MBFEX管(1)，其特征在于，所述阴极供给管线(50)和所述高压套管(51、52)成行布置并与所述真空管(20)上的所述阳极(30)相对。

3.根据权利要求2所述的MBFEX管(1)，其特征在于，所述x射线源(Q)以成行布置布置在所述阳极(30)上。

4.根据权利要求3所述的MBFEX管(1)，其特征在于，所述x射线源(Q)各自位于所述阳极(30)的相对于所述阳极(30)的中心轴线倾斜的表面区段上。

5.根据权利要求4所述的MBFEX管(1)，其特征在于，所述倾斜的表面区段由所述阳极(30)的突出部形成。

6.根据权利要求4所述的MBFEX管(1)，其特征在于，所述倾斜的表面区段由所述阳极(30)中的接地区段形成。

7.根据权利要求5或6所述的MBFEX管(1)，其特征在于，所述阳极(30)的所述倾斜的表面区段经过涂覆。

8.根据权利要求1所述的MBFEX管(1)，其特征在于，所述阴极(40、41、42)包括纳米柱。

9.根据权利要求8所述的MBFEX管(1)，其特征在于，所述纳米柱中的至少一些被设计为单壁或多壁碳纳米管或单壁或多壁杂氮碳纳米管。

10.根据权利要求8或9所述的MBFEX管(1)，其特征在于，所述纳米柱中的至少一些包括稀土硼化物、金属氧化物、金属硫化物、氮化物、碳化物或硅。

11.根据权利要求8所述的MBFEX管(1)，其特征在于，所述纳米柱的长度小于20μm且直径小于10nm，其中相对于所述阴极(40、41、42)的表面积的密度至少为10⁶纳米柱/cm²。

12.根据权利要求1所述的MBFEX管(1)，其特征在于，聚焦电极(72)布置在所述至少一个引出栅(71)与所述阳极(30)之间。

13.根据权利要求12所述的MBFEX管(1)，其特征在于，所述聚焦电极(72)与所述引出栅(71)分开接地。

14.根据权利要求12或13所述的MBFEX管(1)，其特征在于，所述聚焦电极(72)和/或引出栅(71)由钢制成。

15.根据权利要求14所述的MBFEX管(1)，其特征在于，所述聚焦电极(72)和/或引出栅(71)由不锈钢制成。