[发明专利]用于增强电存储的系统和方法有效

专利信息
申请号: 201880057203.0 申请日: 2018-08-30
公开(公告)号: CN111357069B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: N·G·纽马克;S·M·柯林斯 申请(专利权)人: 清水控股有限公司
主分类号: H01G11/78 分类号: H01G11/78;H01G11/08;H01G11/58
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 苏培华
地址: 美国内*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 增强 存储 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种电能存储设备,包括:

壳体,其具有第一端部、与所述第一端部相对的第二端部、第一侧部和与所述第一侧部相对的第二侧部;

第一电极,其被部署在所述壳体中,邻近所述第一侧部;

第二电极,其被部署在所述壳体中,邻近所述第二侧部;

电解质混合物,其被部署在所述壳体中并且在所述第一电极和所述第二电极之间,所述电解质混合物包含多个离子;

通道,其限定在所述第一电极和所述第二电极之间,所述通道被配置成允许所述多个离子中的至少一部分从邻近所述第一电极的所述通道的第一部分通过邻近所述壳体的第一端部的所述通道的第二部分而流到邻近所述第二电极的所述通道的第三部分;以及

阻挡物,其被部署在所述壳体内,且其被部署在所述第一电极和所述第二电极之间,所述阻挡物包括一个或多个闸门,所述一个或多个闸门被配置成选择性地打开和关闭,其中:

当所述一个或多个闸门关闭时,所述阻挡物被配置成帮助防止所述多个离子在邻近于所述壳体的第二端部的所述第一电极和所述第二电极之间流动;以及

当所述一个或多个闸门打开时,所述阻挡物被配置成帮助允许所述多个离子中的至少一部分从邻近所述第二电极的所述通道的第三部分穿过邻近所述壳体的第二端部的所述一个或多个闸门而流到邻近所述第一电极的所述通道的第一部分。

2.根据权利要求1所述的电能存储设备,还包括部署在所述通道中的离子可渗透的分隔物,所述离子可渗透的分隔物被配置成允许所述电解质混合物的离子从其穿过。

3.根据权利要求1所述的电能存储设备,其中,所述通道至少部分地由所述阻挡物来限定。

4.根据权利要求1所述的电能存储设备,其中,所述通道具有大致U形的横截面。

5.根据权利要求1所述的电能存储设备,其中,所述通道具有大致V形的横截面。

6.根据权利要求1所述的电能存储设备,其中,所述一个或多个闸门还允许所述多个离子中的至少一部分从邻近所述第一电极的所述通道的第一部分穿过邻近所述壳体的第二端部的所述一个或多个闸门而流到邻近所述第二电极的所述通道的第三部分。

7.根据权利要求1所述的电能存储设备,其中,所述多个离子包括阳离子、阴离子或二者。

8.根据权利要求1所述的电能存储设备,其中,所述多个离子包括具有第一密度的第一类型的离子和具有第二密度的第二类型的离子,所述第二密度不同于所述第一密度。

9.根据权利要求8所述的电能存储设备,其中,所述第一密度为所述第二密度的至少两倍。

10.根据权利要求1所述的电能存储设备,其中,所述第一电极是阴极,并且所述第二电极是阳极。

11.根据权利要求1所述的电能存储设备,其中,所述多个离子包括磁性离子和非磁性离子。

12.根据权利要求11所述的电能存储设备,其中,所述磁性离子包括反磁性离子、顺磁性离子、铁磁性离子、反铁磁性离子、亚铁磁性离子或其任何组合。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清水控股有限公司,未经清水控股有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880057203.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top