[发明专利]清洁在光刻装置内的支撑件的装置和方法

说明书

描述了用于清洁诸如卡盘的夹具的支撑件的方法和系统，卡盘的夹具保持光刻装置中的图案形成设备或晶片。该方法包括将静电清洁衬底装载到光刻装置中。静电清洁衬底包括至少一个电极。该方法还包括使静电清洁衬底靠近要被清洁的夹具表面，并且将电极连接到电压源。支撑件上存在的颗粒然后被转移到静电清洁衬底上。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年08月28日提交的美国临时专利申请号62/550785的优先权，其通过引用以其整体并入本文。

技术领域

本公开涉及用于清洁支撑件的方法和系统，支撑件诸如是卡盘(例如，静电卡盘)的夹具，其被用来保持在光刻装置内的诸如掩模版、掩模或晶片的设备。

背景技术

光刻装置是将所期望的图案施加到诸如半导体材料的晶片的衬底上的机器，该图案通常被施加到衬底的目标部分上。图案形成设备，其备选地被称为掩模或掩模版，可以被用于生成待形成在晶片的单独层上的电路图案。图案的转移通常通过在被提供在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上进行成像来完成。通常，单个衬底将包含被相邻目标部分，该相邻的目标部分将被连续地图案化。

光刻被广泛地认为是IC和其他设备和/或结构的制造中的关键步骤之一。然而，随着使用光刻做出的特征的尺寸变得更小，光刻成为用于支持待制造微型IC或其他设备和/或结构的较关键的因素。

为了缩短曝光波长并且因此减小最小可打印尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是电磁辐射，其具有在约5nm至约20nm的范围内(例如，在约13nm至约14nm的范围内)的波长。还提出了小于10nm的波长的EUV辐射可以被使用，该波长例如在5nm-10nm的范围内，诸如6.7nm或6.8nm。这种辐射被称为极紫外辐射或软x射线辐射。例如，可能的源包括激光产生等离子体源、放电等离子体源或基于由电子储存环所提供的同步加速器辐射的源。

EUV辐射可以使用等离子体来产生。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器，以及源收集器模块，用于包含等离子体。等离子体可以例如通过将激光束定向在少量的燃料(诸如，合适的燃料材料(例如，锡)的液滴)或合适的气体或蒸气的流(诸如，氙气或锂蒸汽))处来创建。所产生的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，该辐射使用辐射收集器来收集。辐射收集器可以是反射镜正入射(mirrored normalincidence)辐射收集器，其接收辐射并且将该辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括被布置成提供真空环境以支持等离子体的封闭结构或腔室。这种辐射系统通常被称为激光产生等离子体(LPP)源。在备选系统中，该备选系统也可以采用对激光的使用，辐射可以通过使用放电形成的等离子体——放电产生等离子体(DPP)源——来产生。

在光刻装置中使用的、用以将图案化掩模版保持在扫描台上的静电卡盘(ESC)可能变得污染。这种污染可以从掩模版转移到ESC，反之亦然。污染还可能源自光刻腔室本身。污染引起覆盖误差，并且因而导致无功能的计算机芯片。

通常，ESC被手动清洁。然而，常规的手动清洁方法会留下非常细小颗粒的残留。手动清洁仅能够移除直径大于大约3μm的颗粒。而且，手动清洁需要装置通气至大气压并且被部分拆卸，这继而引起生产率的损失。

用于原位清洁光刻工具的ESC的技术现状是利用特殊的减少微粒擦拭器的手动溶液擦拭。由于ESC在电气和机械方面都在一体的机器组件中，因此无法将ESC移除以进行非原位(ex situ)的传统湿法清洁。

在半导体微光刻中，存在这样的系统，其中掩模版是反射性的并且被夹持到表面。该夹具表面必须清洁，以便在芯片生产中获得合理的产量。因此，如果夹具变得污染，则用户需要能够清洁该夹具。

发明内容

期望消除或减轻问题中的至少一个问题，无论其是在本文中还是在其他地方被标识，或者期望提供对现有装置或方法的备选。