[发明专利]荧光体、发光装置、图像显示装置和照明装置在审
申请号: | 201880055251.6 | 申请日: | 2018-09-03 |
公开(公告)号: | CN111051472A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 高阶志保;井阪雅仁;大石敦史;小室直之;长谷川龙一 | 申请(专利权)人: | 三菱化学株式会社 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64;F21S2/00;H01L33/00;H01L33/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金世煜;李书慧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 发光 装置 图像 显示装置 照明 | ||
1.一种荧光体,包含下述式[1]表示的晶相,
通过哈尔德-瓦格纳法计算的微观应变为0.049%以下,
EuaSibAlcOdNe[1]
式中,a、b、c、d、e分别为满足下述范围的值,
0<a≤0.2
5.6<b≤5.994
0.006≤c<0.4
b+c=6
0.006≤d<0.4
7.6<e≤7.994。
2.一种荧光体,包含下述式[1]表示的晶相,
通过哈尔德-瓦格纳法计算的微观应变为0.020%以下,
EuaSibAlcOdNe[1]
式中,a、b、c、d、e分别为满足下述范围的值,
0<a≤0.2
5.6<b≤5.994
0.006≤c<0.4
b+c=6
0.006≤d<0.4
7.6<e≤7.994。
3.根据权利要求1或2所述的荧光体,其中,微晶尺寸为100nm以上。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的荧光体,其中,所述微观应变为0.002%以上。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的荧光体,其中,通过照射具有300nm~500nm的波长的激发光,在500nm~560nm的波长范围具有发光峰。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的荧光体,其中,发光光谱的半峰宽为55nm以下。
7.一种发光装置,具备第1发光体和通过照射来自该第1发光体的光而发出可见光的第2发光体,
该第2发光体包含权利要求1~6中任一项所述的荧光体中的1种以上作为第1荧光体。
8.一种照明装置,包含权利要求7所述的发光装置作为光源。
9.一种图像显示装置,包含权利要求7所述的发光装置作为光源。
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