[发明专利]用于在直流变压器的输入回路中衰减由电源电压感应的振荡的电路和方法

说明书

本发明涉及一种电路，所述电路包括直流变压器和位于直流变压器上游的输入回路，所述输入回路具有用于连接到电压源上的第一接头和第二接头并且具有用于连接到直流变压器上的第三接头和第四接头。输入回路在第一接头和第三接头之间具有半导体元件，其中半导体元件的第一结构元件接头至少通过第一电容和第二电容连接到半导体元件的第二结构元件接头上，其中通过在第一结构元件接头和第二结构元件接头之间的电压能够控制半导体元件的电阻。

技术领域

本发明涉及在浪涌电压稳健性检测期间用于在直流变压器的输入回路中衰减/避免由电源电压感应的振荡的电路和方法。

背景技术

DIN EN 61000-4-5要求检测和验证电的仪器针对来自供电网的浪涌电压(冲击)的稳健性。对此在图1中展示出用于浪涌电压检测的示例性的检测结构(根据现有技术)的电路图。产生的浪涌电压幅值典型地位于0.5KV和6KV之间。

应用于检测的浪涌发生器具有内部的去耦电感，所述去耦电感用于保护检测机构并且确保，使浪涌电压能源集中到试件(DUT，“处于测试下的设备”)的方向。与负差分的输入电阻和直流变压器的输入电容结合，借此能够激励振荡，所述振荡使检测变困难或在检测期间损害试件。

发明内容

对此，本发明丰富了现有技术，因为根据本发明的电路包含输入回路，所述输入回路在检测时充分地衰减振荡，这通过在出现电压波动时使布置在输入回路中的半导体元件的电阻暂时地提高实现。

通过在起振阶段期间暂时地提高MOSFET的接触电阻，使得衰减振荡回路(由浪涌发生器的去耦电感、输入电容和直流变压器的负的输入电阻组成)，来例如能够应用反极性保护金属样化物半导体场效应晶体管(反极性保护MOSFET)的与电压相关的夹断特性。此外衰减的尺度可以通过使电阻和电容添加到被希望的振幅上和添加到被希望的频率上来调节。

因此不显著改变测试构造和不进行干扰或改变产品并且尤其是不必须忍受鉴于运行条件的局限性而根据DIN EN61000-4-5的检测是可行的。

根据本发明的电路包含直流变压器和位于直流变压器上游的输入回路，所述输入回路具有用于连接到电压源上的第一接头和第二接头并且具有用于连接到直流变压器上的第三接头和第四接头。

输入回路在第一和第三接头之间具有半导体元件，其中半导体元件的第一结构元件接头至少通过第一电容和第二电容连接到半导体元件的第二结构元件接头上并且通过在第一结构元件接头和第二结构元件接头之间的电压能够控制半导体元件的电阻。

在此，在说明书中和权利要求书中使用的概念“半导体元件”尤其要理解为电子的结构元件，所述结构元件至少部分地由半导体材料制造。此外在说明书中和权利要求书中使用的概念“直流变压器”尤其要理解为电路，所述电路将输入的直流电压转换为具有高的、低的或倒置的电压电平的直流电压。

半导体元件优选地构造为场效应晶体管、即FET，并且优选地构造为反极性保护半导体开关。

在此，在说明书中和权利要求书中使用的概念“反极性保护半导体开关”尤其要理解为半导体元件，所述半导体元件在使错误的极性的电的电压施加到电路上时中断电路。

FET的栅极接头优选地连接到第一电容的第一结构元件接头上并且通过与第一电容并联的分压器电路的电阻与FET的源极接头连接，第一电容的第二结构元件接头和第二电容的第二结构元件接头连接在第二接头上并且FET的源极接头连接到第二电容的第一结构元件接头上。

FET优选地构造为金属氧化物半导体场效应晶体管，即MOSFET。

第一接头优选地连接在浪涌电压发生器的第一极上并且第二接头连接在浪涌电压发生器的第二极上，所述浪涌电压发生器具有去耦电感。