[发明专利]用于分析抗静电防污层形状的样品及其制备方法有效
申请号: | 201880054876.0 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN111051845B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 李博儒;朴柄洙 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李静;张云志 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 分析 抗静电 防污 形状 样品 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种用于分析抗静电防污层形状的样品及其制备方法,其中,在形成于聚合物基底上的、包含导电聚合物的抗静电防污层上涂覆Pt,从而,由通过导电聚合物的Pt扩散和防污层的染色效果引起聚合物基底层和抗静电防污层之间的对比度差异。因此,通过使用TEM能够清楚地识别形成于聚合物基底上的抗静电防污层的形状。
技术领域
本申请要求于2017年12月07日提交的韩国专利申请No.10-2017-0167151的优先权的权益,该申请的全部公开内容通过引用并入本说明书中用于各种目的。
本发明涉及一种用于分析抗静电防污层形状的样品及其制造方法,更具体地,涉及一种可用于使用TEM分析抗静电防污层形状的样品及其制造方法。
背景技术
在LCD的制造过程中,偏振片保护膜通过粘附到偏振片和背光单元来保护产品表面。作为偏振片保护膜,通常使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。为了防止膜的污染,在其上涂布具有几十纳米厚度的防污层。此外,在LCD模块生产过程的最后阶段,从该过程中去除该保护膜。由于剥离薄膜时产生的约1kV-5kV的弱静电而产生了缺陷,已知缺陷率为约20%。因此,通过将如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)的导电聚合物与如聚氨酯的粘合剂混合而制备的抗静电防污层涂覆在PET膜上,以防止静电引起的缺陷。
发明内容
技术问题
本发明要解决的问题是提供一种使用TEM能够更清楚地分析在聚合物基底上形成的抗静电防污层形状的样品及其制造方法。
此外,本发明提供一种使用该样品分析在聚合物基底上形成的抗静电防污层形状的方法。
技术方案
为了解决上述问题,
本发明提供一种用于分析抗静电防污层形状的样品,其包括:聚合物基底;抗静电防污层,其形成在所述聚合物基底上并且包含导电聚合物;以及直接形成在所述抗静电防污层上的Pt(铂)涂层。
根据一个实施方式,所述样品还可以包括在Pt涂层上的碳保护膜。
此外,本发明提供了一种用于分析抗静电防污层形状的样品的制造方法,包括以下步骤:
在聚合物基底上形成含有导电聚合物的抗静电防污层;以及
在所述抗静电防污层上直接形成Pt涂层。
根据一个实施方式,该方法可以进一步包括在所述Pt涂层上形成碳保护膜的步骤。
根据一个实施方式,所述导电聚合物可以包含PEDOT:PSS。
根据一个实施方式,所述抗静电防污层可以由含有2重量%~20重量%的所述导电聚合物和80重量%~98重量%的聚合物树脂粘合剂的组合物制备。
根据一个实施方式,所述抗静电防污层的厚度可以为30nm至200nm。
根据一个实施方式,Pt涂层的厚度可以是5nm至20nm。
此外,为了解决本发明的另一个问题,本发明提供了一种使用TEM对通过上述方法制造的样品分析抗静电防污层的形状的方法。
有益效果
根据本发明,在形成于聚合物基底上并含有导电聚合物的抗静电防污层上直接涂覆Pt,由于通过导电聚合物的Pt扩散和防污层的染色效果,导致聚合物基底层和抗静电防污层之间的对比度差异。由此,能够更清楚地使用TEM识别形成于聚合物基底上的抗静电防污层的形状。
附图说明
图1是通过传统方法制造的包括PET/防污层的样品的FE-TEM图像。
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