[发明专利]磁传感器有效
申请号: | 201880052227.7 | 申请日: | 2018-06-12 |
公开(公告)号: | CN110998349B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 伊藤吉博 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;H01L43/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘慧群 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 | ||
1.一种磁传感器,具备:
第一磁阻元件;
第二磁阻元件,与所述第一磁阻元件电连接而构成桥电路;
绝缘层,覆盖所述第一磁阻元件以及所述第二磁阻元件;以及
第一磁性体构件以及与该第一磁性体构件不同的第二磁性体构件中的至少所述第一磁性体构件,位于所述绝缘层上,
所述第一磁阻元件具有外周缘以及内周缘中的至少所述外周缘,
所述第一磁性体构件从与所述绝缘层正交的方向观察位于比所述第一磁阻元件的所述外周缘靠内侧的区域,
所述第二磁阻元件从与所述绝缘层正交的方向观察位于比所述第一磁阻元件的所述内周缘靠内侧的区域并被所述第一磁性体构件覆盖,或者位于比所述第一磁阻元件的所述外周缘靠外侧的区域并被所述第二磁性体构件覆盖,
所述第一磁性体构件的形成数、或者所述第一磁性体构件的形成数与所述第二磁性体构件的形成数的合计为两个以上,
所述第一磁阻元件包含:第一图案部,从与所述绝缘层正交的方向观察,位于被所述第一磁性体构件以及所述第二磁性体构件中的相邻地配置的磁性体构件彼此夹着的区域的内部;以及第二图案部,位于所述区域的外部,
所述第一图案部以及所述第二图案部各自具有相互不同的图案形状,使得与所述第一图案部以及所述第二图案部各自具有相互相同的图案形状的情况相比较,所述第一磁阻元件中的检测灵敏度被均衡化。
2.一种磁传感器,具备:
第一磁阻元件;
第二磁阻元件,与所述第一磁阻元件电连接而构成桥电路;
绝缘层,覆盖所述第一磁阻元件以及所述第二磁阻元件;以及
两个以上的第一磁性体构件,位于所述绝缘层上,
所述第一磁阻元件具有外周缘以及内周缘,
所述第一磁性体构件从与所述绝缘层正交的方向观察位于比所述第一磁阻元件的所述外周缘靠内侧的区域,
所述第二磁阻元件从与所述绝缘层正交的方向观察位于比所述第一磁阻元件的所述内周缘靠内侧的区域并被所述第一磁性体构件覆盖,
所述第一磁阻元件包含:第一图案部,从与所述绝缘层正交的方向观察,位于被相邻地配置的所述第一磁性体构件彼此夹着的区域的内部;以及第二图案部,位于所述区域的外部,
所述第一图案部以及所述第二图案部各自具有相互不同的图案形状。
3.一种磁传感器,具备:
第一磁阻元件;
第二磁阻元件,与所述第一磁阻元件电连接而构成桥电路;
绝缘层,覆盖所述第一磁阻元件以及所述第二磁阻元件;以及
至少一个第一磁性体构件以及至少一个第二磁性体构件,位于所述绝缘层上,
所述第一磁阻元件具有外周缘,
所述第一磁性体构件从与所述绝缘层正交的方向观察位于比所述第一磁阻元件的所述外周缘靠内侧的区域,
所述第二磁阻元件位于比所述第一磁阻元件的所述外周缘靠外侧的区域并被所述第二磁性体构件覆盖,
所述第一磁阻元件包含:第一图案部,从与所述绝缘层正交的方向观察,位于被所述第一磁性体构件以及所述第二磁性体构件中的相邻地配置的磁性体构件彼此夹着的区域的内部;以及第二图案部,位于所述区域的外部,
所述第一图案部以及所述第二图案部各自具有相互不同的图案形状。
4.一种磁传感器,具备:
第一磁阻元件;
第二磁阻元件,与所述第一磁阻元件电连接而构成桥电路;
绝缘层,覆盖所述第一磁阻元件以及所述第二磁阻元件;以及
至少两个磁性体构件,位于所述绝缘层上,
所述第二磁阻元件从与所述绝缘层正交的方向观察被所述至少两个磁性体构件的至少一部分覆盖,
所述第一磁阻元件包含:第一图案部,从与所述绝缘层正交的方向观察,位于被所述至少两个磁性体构件中的相邻地配置的磁性体构件彼此夹着的区域的内部;以及第二图案部,位于所述区域的外部,
所述第一图案部以及所述第二图案部各自具有相互不同的图案形状,使得与所述第一图案部以及所述第二图案部各自具有相互相同的图案形状的情况相比较,所述第一磁阻元件中的检测灵敏度被均衡化。
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