[发明专利]中子探测器

权利要求书

1.一种中子探测器，包括至少一个探测器元件，其各自包括两个相互平行的、由第一中子透明材料制成的基板，所述基板各自跨接在由第二中子透明材料制成的自支撑框架上以形成补偿容积，并且在远离所述补偿容积的一侧面上涂覆中子吸收材料(1、5)，其中涂覆中子吸收材料的所述侧面分别面向带有中子吸收材料(1、5)的另一基板，以及填充有计数气体的气密的测量空间，其被限定在彼此相对的涂覆的基板之间并且其中设置有平行于所述基板的两个电极线平面，而在各个电极线平面(2)中有电极线平行延伸，并且所述电极线平面由间隔框架彼此隔开。

2.根据权利要求1所述的中子探测器，其中基板的所述第一中子透明材料和所述第二中子透明材料相同，并且为铜或铝。

3.根据权利要求1所述的中子探测器，其中所述两个电极线平面(2)的电极线设置为各自相对于另一电极线平面(2)的取向以90°的角度布置，以形成电极线栅。

4.根据前述权利要求任一项所述的中子探测器，其中在所述两个电极线平面(2)中的电极线分别具有1mm至3mm的间距。

5.根据前述权利要求任一项所述的中子探测器，其中所述两个电极线平面(2)彼此相对的间距为1.2mm至4mm。

6.根据前述权利要求任一项所述的中子检测器，其中所述中子吸收材料(1、5)包括⁶Li,¹⁰B或Gd。

7.根据权利要求6所述的中子探测器，其中所述中子吸收材料(1、5)是¹⁰B₄C。

8.根据前述权利要求任一项所述的中子检测器，其中所述基板上的所述中子吸收材料(1、5)的层厚为500nm至1.5μm。

9.根据权利要求8所述的中子检测器，其中在所述基板上的所述中子吸收材料(1、5)的层厚为1μm至1.2μm。

10.根据前述权利要求任一项所述的中子探测器，包括2个或更多探测器元件的堆叠布置。

11.根据权利要求10所述的中子探测器，包括4个或18个探测器元件的堆叠布置。

12.根据权利要求11所述的中子探测器，包括8个或12个探测器元件的堆叠布置。

13.根据权利要求10至12任一项所述的中子探测器，其中分别布置有两个探测器元件，使得各自的自支撑框架接合起来以彼此覆盖，其中在所接合的自支撑框架的至少一侧设有气体通道，以形成可变的补偿容积。

14.根据权利要求10至12任一项所述的中子探测器，其中，由所述第一中子透明材料制成的基板跨接在自支撑框架的两侧，其中所述自支撑框架，其两侧被基板跨接，形成两个相邻检测器元件的终端，并且其中至少在已经连接在一起的所述自支撑框架的一侧具有气体通道，以形成可变的补偿容积。

15.根据权利要求1至14任一项所述的中子检测器对于中子检测的用途。