[发明专利]包括经封裝之纳米颗粒之发光粒子及其用途

权利要求书

1.一种发光粒子(1)，其包含材料甲(11)，

且其中所述之发光粒子(1)包含至少一个粒子(2)，并且粒子(2)包含材料乙(21)和分散在所述之材料乙(21)的至少一种纳米颗粒(3)；其中，所述之材料甲(11)和材料乙(21)的能隙大于或等于3电子伏特。

2.根据权利要求1所述之发光粒子(1)，其中材料甲(11)和材料乙(21)选自下列材料：氧化硅，氧化铝，氧化钛，氧化铁，氧化钙，氧化镁，氧化锌，氧化锡，氧化铍，氧化锆，氧化铌，氧化铈，氧化铱，氧化钪，氧化钠，氧化钡，氧化钾，氧化碲，氧化锰，氧化硼，氧化锗，氧化锇，氧化铼，氧化砷，氧化钽，氧化锂，氧化锶，氧化钇，氧化铪，氧化钼，氧化锝，氧化铑，氧化钴，氧化镓，氧化铟，氧化锑、氧化钋、氧化硒，氧化铯，氧化镧，氧化镨，氧化钕，氧化钐，氧化铕，氧化铽，氧化镝，氧化铒，氧化钬，氧化铥，氧化镱，氧化镥，氧化钆，碳化硅SiC，氮化铝AlN，氮化镓GaN，氮化硼BN，混合氧化物，它们的混合氧化物或它们的混合物。

3.根据权利要求1或2所述之发光粒子(1)，其中所述之材料甲(11)限制或阻止外部的分子物种或流体(液体或气体)扩散进入材料甲(11)。

4.根据权利要求1至3所述之发光粒子(1)，其中所述之材料甲(11)的密度范围从1至10。

5.根据权利要求1至4所述之发光粒子(1)，其中所述之材料甲(11)的密度大于或等于所述之材料乙(21)的密度。

6.根据权利要求1至5所述之发光粒子(1)，其中所述之材料甲(11)在标准条件下的热传导率至少为0.1W/(m.K)。

7.根据权利要求1至6所述之发光粒子(1)，其中所述之至少一种纳米颗粒(3)是发光纳米颗粒。

8.根据权利要求7项的方法所述之发光粒子(1)，其中所述之至少一种纳米颗粒(3)是半导体纳米晶体。

9.根据权利要求8项的方法所述之发光粒子(1)，其中所述之半导体纳米晶体包含化学式为M_xN_yE_zA_w之材料的核，其中：M选自Zn、Cd、Hg、Cu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Fe、Ru、Os、Mn、Tc、Re、Cr、Mo、W、V、Nd、Ta、Ti、Zr、Hf、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、As、Sb、Bi、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Cs或它们的混合物；N选自Zn、Cd、Hg、Cu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Fe、Ru、Os、Mn、Tc、Re、Cr、Mo、W、V、Nd、Ta、Ti、Zr、Hf、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、As、Sb、Bi、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Cs或它们的混合物；E选自O、S、Se、Te、C、N、P、As、Sb、F、Cl、Br、I或它们的混合物；A选自O、S、Se、Te、C、N、P、As、Sb、F、Cl、Br、I或它们的混合物；且X、Y、Z和W分别各自为0到5之十进制数字；X、Y、Z和W不同时等于0；X和Y不同时为等于0；Z和W可以不同时等于0。