[发明专利]用于控制嵌段共聚物的纳米畴取向的方法

权利要求书

1.用于控制嵌段共聚物(BCP)的上界面处的表面能的方法，该嵌段共聚物(BCP)的下界面与基材的经预先中性化的表面接触，所述嵌段共聚物能够在最小厚度(t)上自身纳米结构化以得到具有预定周期(L₀)的纳米畴，该最小厚度(t)至少等于所述周期(L₀)的一半，所述方法的特征在于，其在于将所述嵌段共聚物(BCP)沉积在所述基材上，使得其总厚度(T+t)为所述最小厚度(t)的至少两倍大且优选至少三倍大，选择所述最小厚度以使其等于该周期(L₀)的整数倍数或半整数倍数，所述倍数小于或等于15且更优选小于或等于10，且在于然后在所述嵌段共聚物(BCP)上沉积展现出与该嵌段共聚物的嵌段之一的优选亲和性的界面材料，该亲和性低于周围气氛所展现出的优选亲和性。

2.根据权利要求1所述的方法，特征在于，在该嵌段共聚物(BCP)的沉积之后的步骤在于实施该嵌段共聚物(BCP)的自组织，以使其在至少所述最小厚度(t)上纳米结构化。

3.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，特征在于，该嵌段共聚物的上界面与界面材料接触，该界面材料包含具有限定的分子构成和限定的表面能的化合物或化合物混合物，其在所述嵌段共聚物的组织温度下可为固体或液体，且其使得能够将该嵌段共聚物(BCP)的膜与该周围气氛或限定的气体混合物的影响隔绝开。

4.根据权利要求3所述的方法，特征在于，所述化合物或化合物混合物展现出与该嵌段共聚物(BCP)的至少一种嵌段的特定的亲和性。

5.根据权利要求3或4所述的方法，特征在于，选择与该嵌段共聚物(BCP)接触的上界面材料的所述化合物，以使其表面能至少大于值“γ_i-5”(以mN/m计)且至少小于值“γ_s+5”(以mN/m计)，其中，γ_i代表该嵌段共聚物(BCP)的各嵌段的所有表面能值中的最低值，且其中，γ_s代表该嵌段共聚物(BCP)的各嵌段的所有表面能值中的最大值。

6.根据权利要求5所述的方法，特征在于，选择与该嵌段共聚物(BCP)接触的上界面材料的所述化合物，以使其表面能在值γ_i和γ_s之间。

7.根据权利要求3-6所述的方法，特征在于，选择上界面材料的所述化合物，使得相对于该嵌段共聚物(BCP)的各嵌段不是中性的。

8.根据权利要求3-6所述的方法，特征在于，选择上界面材料的所述化合物，使得相对于该嵌段共聚物(BCP)的各嵌段是中性的。

9.根据权利要求1-8之一所述的方法，特征在于，该基材包含或不包含图案，所述图案是在该嵌段共聚物(BCP)膜的沉积步骤之前通过任何性质的平版印刷步骤或一系列平版印刷步骤预先绘制的，所述图案旨在通过称为化学外延法或制图外延法的技术、或这两种技术的组合引导所述嵌段共聚物(BCP)的组织，以获得经中性化的表面。

10.用于从嵌段共聚物(BCP)开始制造纳米平版印刷抗蚀剂的方法，该嵌段共聚物(BCP)的下界面与下部基材的经预先中性化的表面接触，所述方法包括根据权利要求1-9之一所述的用于控制嵌段共聚物(BCP)的纳米畴取向的方法的步骤且特征在于，在该嵌段共聚物(BCP)的纳米结构化之后，移除该界面材料以及所述嵌段共聚物的过量厚度(T)，以便留下在所述最小厚度(t)上相对于所述基材垂直的经纳米结构化的嵌段共聚物膜，并然后移除所述嵌段共聚物膜的至少一种嵌段，以便形成能够用作纳米平版印刷抗蚀剂的多孔膜。

11.根据权利要求10所述的方法，特征在于，同时或顺序地实施该界面材料的移除以及所述嵌段共聚物的所述过量厚度(T)的移除。