[发明专利]玻璃密封的气体放电管在审

专利信息
申请号: 201880047938.5 申请日: 2018-05-29
公开(公告)号: CN110945619A 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: Z·王;P·沙克;G·L·伯恩斯 申请(专利权)人: 伯恩斯公司
主分类号: H01J5/20 分类号: H01J5/20;H01J9/26
代理公司: 北京市正见永申律师事务所 11497 代理人: 黄小临
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 玻璃 密封 气体 放电
【说明书】:

一种玻璃密封的气体放电管。在一些实施例中,气体放电管(GDT)可以包括具有第一侧和第二侧并定义开口的绝缘体基板。所述GDT还可以包括实施为覆盖绝缘体基板的第一侧上的开口的第一电极,以及实施为覆盖绝缘体基板的第二侧上的开口的第二电极。所述GDT还可以包括实施在第一电极和绝缘体基板的第一侧之间的第一玻璃密封件,以及实施在第二电极和绝缘体基板的第二侧之间的第二玻璃密封件,使得第一玻璃密封件和第二玻璃密封件对由开口以及第一电极和第二电极定义的腔室提供气密密封。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年5月29日提交的题为“玻璃密封的气体放电管”的美国临时申请第62/512,163号的优先权,特此通过引用而将其公开内容的各部分明确地全部合并于此。

技术领域

本申请涉及气体放电管以及相关的器件和方法。

背景技术

气体放电管(GDT)是具有在两个电极之间约束的一定体积的气体的器件。当在两个电极之间存在足够的电势差时,气体可以电离以提供导电媒质,从而产生电弧形式的电流。

基于这种工作原理,GDT可以配置为在电气干扰期间提供用于各种应用的可靠而有效的保护。在一些应用中,由于诸如低电容和低插入/回波损耗的属性,GDT可以比半导体放电器件更为优选。相应地,GDT经常使用于电信和其中期望对诸如过电压的电气干扰进行防护的其他应用中。

发明内容

在一些实施方式中,本申请涉及一种气体放电管(GDT)器件,其包括:具有第一侧和第二侧并定义开口的绝缘体基板,和实施为覆盖所述绝缘体基板的所述第一侧上的所述开口的第一电极,以及实施为覆盖所述绝缘体基板的所述第二侧上的所述开口的第二电极。所述GDT器件还包括实施在所述第一电极和所述绝缘体基板的所述第一侧之间的第一玻璃密封件,以及实施在所述第二电极和所述绝缘体基板的所述第二侧之间的第二玻璃密封件,使得所述第一玻璃密封件和所述第二玻璃密封件对由所述开口以及所述第一电极和所述第二电极定义的腔室提供气密密封。

在一些实施例中,所述绝缘体基板可以包括陶瓷基板。在一些实施例中,所述第一电极和所述第二电极中的每一个可以包括铜材料。

在一些实施例中,所述第一玻璃密封件和所述第二玻璃密封件中的每一个可以包括回流玻璃层。所述回流玻璃层可以包括来自在所述绝缘体基板和对应电极的相应侧上的玻璃层的玻璃材料。

在一些实施例中,所述GDT器件可以进一步包括基本上容纳在所述腔室内的气体或气体混合物。在一些实施例中,所述第一玻璃密封件和所述第二玻璃密封件中的每一个可以包括或基于氧化硅复合物。所述氧化硅复合物可以包括例如二氧化硅或石英。

在一些实施方式中,本申请涉及一种用于制造气体放电管(GDT)器件的方法。所述方法包括:提供或形成具有第一侧和第二侧并定义开口的绝缘体基板,以及在所述绝缘体基板的所述第一侧和所述第二侧中的每一个上的所述开口周围施加玻璃层。所述方法还包括:提供或形成第一电极和第二电极,以及在所述第一电极和所述第二电极中的每一个上施加玻璃层。所述方法还包括:形成在所述绝缘体基板的所述第一侧上的第一电极和在所述绝缘体基板的所述第二侧上的第二电极的组件,使得每个电极上的玻璃层与所述绝缘体基板的对应侧上的玻璃层接触(engage)。所述方法还包括:对所述组件进行加热以熔化每个电极上的玻璃层和所述绝缘体基板的对应侧上的玻璃层,并产生回流玻璃密封件。

在一些实施例中,在所述绝缘体基板的每一侧上的所述开口周围施加所述玻璃层,以及在所述第一电极和所述第二电极中的每一个上施加所述玻璃层可以包括烧结步骤。

在一些实施例中,所述回流玻璃密封件可以对由所述开口以及所述第一电极和所述第二电极所定义的腔室提供气密密封。在一些实施例中,所述方法可以进一步包括在加热的至少一部分期间提供期望气体,使得所述气密密封的腔室容纳所述期望气体。

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