[发明专利]颗粒抑制系统和方法

说明书

物体平台可以包括第一结构和相对于第一结构能够移动的第二结构。第二结构被配置为支撑物体。物体平台还包括能够移动地耦接到第一结构或第二结构、但不同时耦接到两者的密封板。并且所述物体平台包括至少一个致动器，其被配置成移动所述密封板，使得在所述密封板与所述第一结构或所述第二结构中未被耦接至所述密封板的一个之间限定一基本恒定的间隙。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年7月28日提交的美国临时专利申请、申请号为62/538,210的优先权，该美国临时专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及例如光刻中的颗粒抑制。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案施加到衬底上(通常在衬底的目标部分上)的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于集成电路的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转移。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。

光刻被广泛认为是制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻成为使得能够制造微型IC或其他器件和/或结构的更关键因素。

图案印制极限的理论估计可以通过分辨率的瑞利准则给出，如等式(1)所示：

其中λ是所用辐射的波长，NA是用于印制图案的投影系统的数值孔径，k1是一个与过程有关的调整因子，也称为瑞利常数，CD是印制的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。从等式(1)得出，特征的最小可印制尺寸的减小可以以三种方式获得：通过缩短曝光波长λ，通过增加数值孔径NA，或通过减小k1的值。

为了缩短曝光波长并因此减小最小可印制尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在5-20nm范围内的电磁辐射，例如在13-14nm范围内。进一步建议，可以使用波长小于10nm的EUV辐射，例如在5-10nm的范围内，例如6.7nm或6.8nm。这种辐射被称为极紫外辐射或软X射线辐射。可能的源包括，例如，激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

光刻设备包括图案形成装置(例如，掩模或掩模版)。通过图案形成装置提供辐射或从图案形成装置反射辐射，以在衬底上形成图像。图案形成装置可以被保持在真空环境中。在此真空环境中，可能会有污染物颗粒源，例如线缆或多个线缆和软管承载件，它们会产生污染物颗粒。如果这些污染物颗粒到达图案形成装置和/或图案形成装置附近的区域，则可能在所形成的图像中出现缺陷。

发明内容

在一些实施例中，用于光刻设备的物体平台包括能够移动的密封板，用于减少或消除可以到达被支撑的物体的污染物颗粒。

在一些实施例中，物体平台包括第一结构和相对于第一结构能够移动的第二结构。第二结构被配置为支撑物体。物体平台还包括能够移动地耦接到第一结构或第二结构、但不同时耦接到两者的密封板。并且所述物体平台包括至少一个致动器，其被配置成移动所述密封板，使得在所述密封板与所述第一结构或所述第二结构中未被耦接至所述密封板的一个之间限定一基本恒定的间隙。

在一些实施例中，被配置为将图案从图案形成装置转印到衬底上的光刻设备包括被配置为保持和沿扫描方向移动衬底的衬底台。光刻设备还包括掩模版平台，该掩模版平台被配置为保持和沿扫描方向移动掩模版。掩模版平台包括第一结构和可相对于第一结构移动的卡盘。卡盘配置成支撑掩模版。掩模版平台包括能够移动地耦接到第一结构或卡盘、但不同时耦接到两者的密封板。掩模版平台还包括至少一个致动器，其被配置成移动所述密封板，使得在所述密封板与所述第一结构或所述卡盘中未被耦接至所述密封板的一个之间限定一基本恒定的间隙。