[发明专利]喷墨头、喷墨记录装置及喷墨头的制造方法

权利要求书

1.一种喷墨头，其包括喷嘴基板，所述喷嘴基板具备：

形成有将墨射出的喷嘴的基材部、

在所述基材部的射出面侧形成且具有碳氧化硅膜的防液层基底膜、和

在所述防液层基底膜的射出面侧形成的防液层，

所述防液层基底膜具有如下范围的组成的所述碳氧化硅膜：

在表示硅Si、碳C和氧O的原子数比的三角图中，是由

Si：C：O的原子数比为1：1：0的第1坐标点、

Si：C：O的原子数比为3：2：2的第2坐标点、

Si：C：O的原子数比为1：2：2的第3坐标点、和

Si：C：O的原子数比为1：2：0的第4坐标点所包围的范围内，不包括将所述第1坐标点和所述第4坐标点连结的线上，且不包括Si：C：O的原子数比为1：1：1的坐标点。

2.根据权利要求1所述的喷墨头，其中，所述防液层基底膜形成于所述基材部的射出面侧及所述喷嘴的内壁。

3.根据权利要求1或2所述的喷墨头，其具备在所述喷嘴的流路内所形成的流路保护膜。

4.根据权利要求1或2所述的喷墨头，其中，所述防液层基底膜的膜厚为50[nm]以下。

5.根据权利要求1或2所述的喷墨头，其中，所述基材部由硅、金属材料或树脂材料制成。

6.一种喷墨记录装置，其具备：

权利要求1-5中任一项所述的喷墨头、和

将所述防液层的射出面侧的墨擦除的清洁部。

7.一种喷墨头的制造方法，其包括：

在基材部的射出面侧形成具有碳氧化硅膜的防液层基底膜的防液层基底膜形成工序、

在所述防液层基底膜的射出面侧形成防液层而生成喷嘴基板的防液层形成工序、

在所述基材部形成将墨射出的喷嘴的喷嘴形成工序、和

生成具备所述喷嘴基板的喷墨头的喷墨头生成工序，

所述防液层基底膜具有如下范围的组成比的所述碳氧化硅膜：

在表示硅Si和碳C和氧O的原子数比的三角图中，是由

Si：C：O的原子数比为1：1：0的第1坐标点、

Si：C：O的原子数比为3：2：2的第2坐标点、

Si：C：O的原子数比为1：2：2的第3坐标点、和

Si：C：O的原子数比为1：2：0的第4坐标点所包围的范围内，不包括将所述第1坐标点和所述第4坐标点连结的线上，且不包括Si：C：O的原子数比为1：1：1的坐标点。

8.根据权利要求7所述的喷墨头的制造方法，其中，在所述防液层基底膜形成工序中，对碳化硅膜或碳氧化硅膜追加地进行氧添加，由此形成最表面层为所述范围的组成比的防液层基底膜。

9.根据权利要求8所述的喷墨头的制造方法，其中，在所述氧添加中，使用在包含氧气的气氛下的等离子体处理。

10.根据权利要求7所述的喷墨头的制造方法，其中，在所述防液层基底膜形成工序中，对氧化硅膜或碳氧化硅膜追加地进行碳添加，由此形成最表面层为所述范围的组成比的防液层基底膜。

11.根据权利要求10所述的喷墨头的制造方法，其中，在所述碳添加中，在包含烃气体的气氛下使用等离子体处理。

12.根据权利要求7-11中任一项所述的喷墨头的制造方法，其中，在所述防液层基底膜形成工序中，在所述基材部的射出面侧及所述喷嘴的内壁形成所述防液层基底膜。

13.根据权利要求7-11中任一项所述的喷墨头的制造方法，其包括：在所述喷嘴的流路内形成流路保护膜的流路保护膜形成工序。