[发明专利]设备到总线接触连接的适配器

权利要求书

1.一种耦合布置，其被配置为在闭合状态与打开状态之间切换在设备与配合表面之间的一条或多条总线布线，所述设备以特性电压被电气供电，所述耦合布置包括：

-在所述设备与所述配合表面之间至少与所述一条或多条总线布线的计数一样多的电气接触区域；

-一个或多个电子电路，其总共具有至少第一I/O、第二I/O、第三I/O和第四I/O，所述第一I/O和所述第三I/O连接到所述电气接触区域，所述第二I/O和所述第四I/O被配置为与所述设备的所述一条或多条总线布线中的至少一个电气连接；

其中，所述电子电路适于执行在所述第一I/O与所述第二I/O之间的第一电流抗反转功能或在所述第四I/O与所述第三I/O之间的第二电流抗反转功能中的一个或多个，其中，所述电子电路包括在所述第二I/O与所述第四I/O之间的预定值的电阻，其中，根据所述特性电压的值设置所述预定值，由此当所述设备被正确地定位在所述配合表面上时所述电阻被检测。

2.根据权利要求1所述的耦合布置，其中，当所述第一I/O的电压在预定义的容差裕度内等于第一电压值并且所述第三I/O的电压在所述预定义的容差裕度内等于第二电压值时，所述一条或多条总线布线处于闭合状态。

3.根据权利要求1至2中的一项所述的耦合布置，其中，当所述第一I/O的电压在预定义的电压容差裕度内等于第二电压值并且所述第三I/O的电压在所述预定义的电压容差裕度内等于第一电压值时，所述一条或多条总线布线处于打开状态。

4.根据权利要求1至2中的一项所述的耦合布置，其中，所述一个或多个电子电路包括MOSFET-P晶体管，其漏极连接到所述第一I/O，其源极连接到所述第二I/O，并且其栅极连接到所述第三I/O和所述第四I/O。

5.根据权利要求1至2中的一项所述的耦合布置，其中，所述一个或多个电子电路包括MOSFET-N晶体管，其栅极连接到所述第一I/O和所述第二I/O，其漏极连接到所述第三I/O，并且其源极连接到所述第四I/O。

6.根据权利要求4所述的耦合布置，其中，所述一个或多个电子电路包括MOSFET-P晶体管和MOSFET-N晶体管。

7.根据权利要求4所述的耦合布置，其中，所述MOSFET-P晶体管在其源极与栅极之间具有预定值的内部电阻。

8.根据权利要求5所述的耦合布置，其中，所述MOSFET-N晶体管在其源极与栅极之间具有预定值的内部电阻。

9.根据权利要求1至2中的一项所述的耦合布置，其中，所述一条或多条总线布线中的一个被配置为将功率从所述配合表面传输到所述设备。

10.根据权利要求1至2中的一项所述的耦合布置，其中，在所述电气接触区域中的任一个与相邻的电气接触区域之间的距离大于所述配合表面的特性尺寸。

11.根据权利要求1至2中的一项所述的耦合布置，其中，所述电气接触区域位于所述设备的表面上，并且所述一个或多个电子电路位于所述设备的内部。

12.根据权利要求11所述的耦合布置，其中，所述设备的所述表面和所述电气接触区域以这样的方式配置：当所述设备被定位在所述配合表面上时，所述设备能够保持稳定平衡的位置，并且所述设备与所述配合表面之间的所述一条或多条总线布线能够闭合。

13.根据权利要求1至2中的一项所述的耦合布置，其中，所述电气接触区域和所述一个或多个电子电路位于附件上，所述附件被配置为与所述设备接合并且还包括一个或多个公连接器，所述一个或多个公连接器连接到所述设备的所述一条或多条总线布线的一个或多个端口。