[发明专利]基质中的裂缝钝化

权利要求书

1.一种方法，其包括：

使传感器的钝化层中的至少一个裂缝钝化，所述传感器包括含金属层、设置在所述含金属层上方的所述钝化层、和在所述钝化层的顶部活性表面上方形成流动通道的结构，所述结构的顶部部分包括电极，其中所述钝化包括：

将包含聚合物前体和电解质的水溶液施加至所述结构的流动通道；

向所述传感器的所述含金属层施加第一电压；

向所述电极施加第二电压，所述第二电压是具有与所述第一电压相反极性的电压；和

形成从所述至少一个裂缝处的所述含金属层向上延伸到所述钝化层的顶表面的聚合物形成物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚合物前体在所施加的电压下电化学氧化，从而在所述裂缝内的所述含金属层处形成聚合物链生长。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述聚合物链生长沉积在所述裂缝内，从而形成涂层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述传感器包括半导体器件。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述半导体器件包括互补金属氧化物半导体(CMOS)生物传感器。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化还包括：

当所述聚合物形成物至少部分地填充所述至少一个裂缝时，去除所述第一电压和所述第二电压。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述电解质包括磺基琥珀酸钠盐。

8.根据权利要求6所述的方法，其还包括：

将所述聚合物形成物转化为电绝缘的聚合物形成物。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚合物前体包含吡咯、苯胺或其组合。

10.一种装置，其包括：

具有钝化层的传感器，所述钝化层包括至少一个裂缝，所述至少一个裂缝具有在其中沉积并且在所述钝化层内垂直延伸的至少一个聚合物形成物，所述传感器包括：

含金属层；

沉积在所述含金属层上方的所述钝化层；和

在所述钝化层的顶部活性表面上方形成流动通道的结构。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述传感器还包括：

所述至少一个聚合物形成物，其从所述钝化层的顶表面延伸到所述含金属层中并且至少部分地阻断腐蚀性水溶液渗入所述钝化层中的所述至少一个裂缝到所述含金属层。

12.根据权利要求10所述的装置，其中所述至少一个聚合物形成物包含聚吡咯、聚苯胺或其组合。

13.根据权利要求12所述的装置，其中所述至少一个聚合物形成物是导电聚合物或绝缘聚合物中的一种。

14.根据权利要求10所述的装置，其中所述传感器还包括：

设置在所述结构的顶表面上的辅助电极。

15.根据权利要求10所述的装置，其中所述传感器包括半导体。

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述半导体包括互补金属氧化物半导体(CMOS)生物传感器。

17.根据权利要求10所述的装置，其中所述传感器的所述活性表面上的保护层包括多个纳米孔。