[发明专利]心力衰竭治疗的动态控制

权利要求书

1.一种系统，包括：

刺激控制电路，其被配置为：

确定针对多个心率或心率范围的房室(AV)传导特性；

在存储器中存储与针对所述多个心率或心率范围的AV传导特性的第一子集相关联的第一起搏部位配置，以及与针对所述多个心率或心率范围的AV传导特性的第二子集相关联的第二起搏部位配置；并且

根据感测到的心率下的AV传导特性，选择所述第一起搏部位配置或所述第二起搏部位配置以用于递送心脏刺激。

2.根据权利要求1所述的系统，其中：

所述AV传导特性包括房室间隔或房室间隔变异性；

所述第一起搏部位配置包括仅左心室(LV)起搏，并且所述第二起搏部位配置包括左心室和右心室两者的双心室(BiV)起搏；并且

所述刺激控制电路被配置为根据感测到的心率下的房室间隔或房室间隔变异性来选择仅LV起搏或BiV起搏。

3.根据权利要求2所述的系统，其中，所述刺激控制电路被配置为在所述房室间隔超过第一阈值时选择BiV起搏。

4.根据权利要求2所述的系统，其中，所述刺激控制电路被配置为在所述房室间隔变异性超过第二阈值时选择BiV起搏。

5.根据权利要求2所述的系统，其中，所述刺激控制电路被配置为在所述房室间隔下降到第一阈值以下并且所述房室间隔变异性下降到第二阈值以下时选择仅LV起搏。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的系统，其中，针对心房感测(AS)事件和心房起搏(AP)事件确定AV传导特性，并且将所述刺激控制电路配置为根据感测到的心率下的针对AS或AP的AV传导特性来选择所述第一起搏部位配置或所述第二起搏部位配置。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的系统，其中，所述刺激控制电路被配置为在所述存储器中存储刺激参数表，所述刺激参数表包括针对所述AS事件和AP事件并与所述多个心率或心率范围相对应的所述第一起搏部位配置和所述第二起搏部位配置。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的系统，其中，所述刺激控制电路被配置为响应于感测到的心率超过心率阈值而选择第一起搏部位或第二起搏部位。

9.根据权利要求8所述的系统，其中，所述心率阈值为每分钟100个搏动。

10.一种系统，包括：

刺激控制电路，其被配置为：

确定针对多个心率或心率范围的在患者左心室和右心室之间的心室间(VV)传导特性；

在存储器中存储与针对多个心率或心率范围的所述VV传导特性的第一子集相关联的第一起搏部位配置，以及与针对多个心率或心率范围的所述VV传导特性的第二子集相关联的第二起搏部位配置；并且

根据感测到的心率下的VV传导状况特性，选择所述第一起搏部位配置或所述第二起搏部位配置以用于递送心脏刺激。

11.根据权利要求10所述的系统，其中：

所述VV传导特性包括心室间间隔；

所述第一起搏部位配置包括单部位左心室起搏(SSP)，并且所述第二起搏部位配置包括在多于两个的左心室部位处的多部位左心室起搏(MSP)；并且

所述刺激控制电路被配置为根据感测到的心率下的心室间间隔来选择SSP或MSP。

12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述刺激控制电路被配置为测量右心室部位和多个左心室部位之间的心室间间隔，并且基于具有满足条件的对应心室间间隔的多个左心室部位的数量来选择SSP或MSP。

13.根据权利要求12所述的系统，其中，所述刺激控制电路被配置为当至少两个左心室部位具有超过心室间间隔阈值的相应心室间间隔时选择MSP。