[发明专利]电解电容器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201880035166.3 申请日: 2018-04-26
公开(公告)号: CN110678946A 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 福井齐 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01G9/028 分类号: H01G9/028;H01G9/00
代理公司: 11021 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 曹阳
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 导电性高分子 固体电解质层 阳极体 乙烯二氧噻吩 电解电容器 电介质层 衍生物层 自掺杂
【权利要求书】:

1.一种电解电容器,其具备阳极体、在所述阳极体上形成的电介质层、以及在所述衍生物层上形成的固体电解质层,

所述固体电解质层包含导电性高分子,

所述导电性高分子包含自掺杂型的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)类。

2.根据权利要求1所述的电解电容器,其中,所述自掺杂型的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)类具有磺酸基或其盐。

3.根据权利要求1或2所述的电解电容器,其中,所述固体电解质层具备在所述电介质层上形成的包含第一导电性高分子的第一导电性高分子层、以及在所述第一导电性高分子层上形成的包含第二导电性高分子的第二导电性高分子层,

所述第一导电性高分子为所述自掺杂型的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)类。

4.根据权利要求3所述的电解电容器,其中,所述第二导电性高分子为非自掺杂型的导电性高分子。

5.根据权利要求3或4所述的电解电容器,其中,所述第二导电性高分子为聚吡咯。

6.根据权利要求3~5中任一项所述的电解电容器,其中,所述第一导电性高分子层的厚度比所述第二导电性高分子层的厚度更薄。

7.一种电解电容器的制造方法,其包括:

准备形成有电介质层的阳极体的工序;以及

在所述电介质层上形成包含自掺杂型的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)类的固体电解质层的工序,

形成所述固体电解质层的工序包括:使包含所述自掺杂型的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)类的第一液状组合物附着在所述电介质层上,形成包含所述自掺杂型的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)类作为第一导电性高分子的第一导电性高分子层的工序。

8.根据权利要求7所述的电解电容器的制造方法,其中,形成所述固体电解质层的工序还包括:使包含所述第二导电性高分子或其前体的第二液状组合物附着在所述第一导电性高分子层上,形成包含所述第二导电性高分子的所述第二导电性高分子层的工序。

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